HONEYWELL 30731817-505
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其中k 為波爾茲曼常數、T 為溫度，C 為二極管的等效電容。復位噪聲本質上是一個熱噪聲，具有隨機性，只能夠減小而不能夠*消除。在本電路中，C=1.3 P，Vn=56 μV。
散粒噪聲是指由于電子的隨機到達而引起器件中電流的隨機波動。因此，散粒噪聲與流過器件的電流大小相關，并且服從泊松分布。散粒噪聲與熱噪聲相區(qū)別，熱噪聲在沒有任何電壓或平均電流的條件下同樣存在，而散粒噪聲在沒有電流條件下不存在。像素的散粒噪聲與像素中的電流相關，包括光電流、暗電流。其計算公式如下：
光電流散粒噪聲與照度有關，很難消除。與暗電流有關的散粒噪聲可以通過改變摻雜濃度減小暗電流，但這會降低量子效率。在本電路中，In=100 fA，Is=20 pA，Tint=20 μs，C int =2 fF，則Vdarkn=0.28 mV，Vsn=4 mV。
3.2 讀出電路噪聲
閃爍噪聲也稱為1/f 噪聲。在半導體材料中，晶體缺陷和雜質的存在會產生陷阱， 陷阱隨機捕獲或釋放載流子形成閃爍噪聲。在讀出電路中，CTIA 放大器是閃爍噪聲的主要來源。
CTIA 讀出噪聲與輸入端電容Cin=Cpd、反饋電容Cfb，以及負載電容CL的設計均有關，其小信號噪聲模型如圖4 所示。
圖4 CTIA 放大器噪聲模型
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