半導體靜電放電發(fā)生器專門為半導體器件抗靜電測試(HBM人體模式和MM機械模式)而設計,通過阻容套件的改變來滿足標準 MIL-STD-883D METHOD3015.7、EIAJED-4701 ConditionB 和 EIAJED-4701 ConditionA 的測試要求。人性化設計、使用方便。
項 目 Item | MIL-STD-883D METHOD3015.7 IEC747-1 | EIAJED-4701 ConditionA | |
輸出電壓 Output voltage | 0—8kV | ||
輸出電壓極性 Polarity | 正/負 Positive/Negative | ||
放電電容 Energy storage capacitance | 100pF±5% | 200pF±5% | |
放電電阻 Discharge resistor | 1.5kΩ | 0 Ω | |
工作形式 Operation modes | 單次 Single | ||
計數(shù) Count | |||
放電次數(shù)設定Numbers of discharge | 1~9999 | ||
放電間隔Repetition | 0.1~9.9s |