IXFL82N60P晶體三極管
| FET 類型 | N 溝道 |
|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 55A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（zui大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（zui大值） | 240nC |
| 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（zui大）@ Vgs | 10V |
| Vgs（zui大值） | ±30V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（zui大值） | 23000pF |
| 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（zui大） @ Vds | 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（zui大值） | 625W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（zui大值） | 78 毫歐 @ 41A，10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | ISOPLUS264™ |
| 封裝/外殼 | ISOPLUS264™ |
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