ST2258C型多功能數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等
ST2258C型多功能數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。
主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動轉(zhuǎn)換量程；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀特贈設測試結(jié)果分類功能，zui大分類10類。
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選SZT-K型測試臺，也可選配SZT-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率，選配SZT-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。
ST2258C型多功能數(shù)字式四探針測試儀
三、基本技術(shù)參數(shù)
1. 測量范圍、分辨率（括號內(nèi)為可向下拓展1個數(shù)量級）
電 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
電 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方塊電阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 Ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定)
直 徑： SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長(高)度： 測試臺直接測試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
測量方位: 軸向、徑向均可
ST2258C型多功能數(shù)字式四探針測試儀
3. 量程劃分及誤差等級
滿度顯示 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 |
常規(guī)量程 | kΩ-cm/□ | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | --- | ||||
zui大拓展量程 | --- | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | mΩ-cm/□ | ||||
基本誤差 | ±2%FSB ±4LSB | ±1.5%FSB ±4LSB | ±0.5%FSB±2LSB | ±0.5%FSB ±4LSB | ±1.0%FSB ±4LSB | ||||
4.工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W
5.外形尺寸： 245mm（長）×220 mm（寬）×95mm（高）
凈 重：≤1.5～2.0kg
