FF450R12ME4 規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發(fā)射*電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 675 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
大工作溫度: + 150 C
商標: Infineon Technologies
柵極/發(fā)射*電壓: +/- 20 V
小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
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