測(cè)試功能

測(cè)試器件

測(cè)試功能

IGBT

瞬態(tài)阻抗(Thermal Impedance)

從開(kāi)始加熱到結(jié)溫達(dá)到穩(wěn)定這一過(guò)程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)。

MOSFET

二極管

穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)

包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷向外擴(kuò)散，達(dá)到了熱平衡，得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒(méi)有達(dá)到熱平衡之前測(cè)試到的是熱阻抗。

三極管

可控硅

線(xiàn)形調(diào)壓器

裝片質(zhì)量的分析

主要測(cè)試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導(dǎo)致芯片的溫度上升，因此這個(gè)功能夠衡量粘接工藝的穩(wěn)定性。

LED

MESFET

IC

可以得到用不同占空比方波測(cè)試時(shí)的阻抗與熱阻值。

內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)與其散熱能力的相關(guān)性分析

多晶片器件的測(cè)試

SOA Test

浪涌測(cè)試

配置 / 系統(tǒng)單元

配置

組成單元

項(xiàng)目

配置

主機(jī)

平臺(tái)軟件

功率

2A/10V

采樣單元

測(cè)量控制軟件

測(cè)試延遲時(shí)間

（啟動(dòng)時(shí)間）

1us

數(shù)控單元

結(jié)果分析軟件

采樣率

1us

功率驅(qū)動(dòng)單元

建模軟件

測(cè)試通道數(shù)

2（大 8 個(gè)）

測(cè)試通道1-8個(gè)

功率放大器

提高驅(qū)動(dòng)能力10~100 倍

擴(kuò)展選件

電性規(guī)格

系統(tǒng)特征

加熱

電流

測(cè)量

精度

低電流

測(cè)量

02A 系統(tǒng): ±1mA

10A 系統(tǒng): ±5mA

20A 系統(tǒng): (±10mA)

●測(cè)試啟動(dòng)時(shí)間僅為 1 s，幾分鐘之內(nèi)就 可以得到器件的全面熱特性；

●*的靜態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)量方法，采樣間隔快可達(dá) 1 s， 采樣點(diǎn)高達(dá) 65000 個(gè)，有效地保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和完備性；

高電流

測(cè)量

02A 系統(tǒng): ±4mA

10A 系統(tǒng): ±20mA

20A 系統(tǒng): (±40mA)

●市場(chǎng)上的靈敏度 FoM=10000 W/℃，很高的靈 敏度 SNR>4000，

結(jié)溫測(cè)試精度高達(dá) 0.01℃；

加熱電壓測(cè)量精度

±0.25% ，

0~50V 熱電偶

測(cè)量精度( T 型)

典型 ±0.1°C ,

大±0.3°C

●強(qiáng)大的測(cè)試軟件和數(shù)據(jù)分析軟件保證了后期擴(kuò)展功能的提升。

交流電壓

220VAC，5A，50/60Hz

電壓

（標(biāo)配）50V

電流

（標(biāo)配）20A

（選配）200A,400A,800A,1000A

節(jié)溫感應(yīng)電流

1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(標(biāo)配)