Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀
Zeta電位測量：
美國麥奇克有限公司（Microtrac Inc.）以其在激光衍射/散射技術(shù)和顆粒表征方面的獨(dú)到見解，經(jīng)過多年的市場調(diào)研和潛心研究，開發(fā)出新一代Nanotrac wave II微電場分析技術(shù)，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿，一次進(jìn)樣即可得到準(zhǔn)確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術(shù)相比，Nanotrac wave II采用*的“Y”型光纖探針光路設(shè)計(jì)，配置膜電極產(chǎn)生微電場，操作簡單，測量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應(yīng)導(dǎo)致的靜止層，無需外加大功率電場，無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池，*消除由于空間位阻（不同光學(xué)元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質(zhì)的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學(xué)信號的損失，結(jié)果準(zhǔn)確可靠，重現(xiàn)性好。
Nanotrac wave II納米粒度及zeta電位儀技術(shù)參數(shù)：
粒度分析范圍: 0.3nm-10µm
重現(xiàn)性：誤差≤1%
濃度范圍：100ppb-40%w/v
檢測角度：180°
分析時(shí)間：30-120秒
準(zhǔn)確性：全量程米氏理論及非球形顆粒校正因子
測量精度: 無需預(yù)選，依據(jù)實(shí)際測量結(jié)果，自動生成單峰/多峰分布結(jié)果
理論設(shè)計(jì)溫度：0-90℃，可以進(jìn)行程序升溫或降溫
兼容性：水相和有機(jī)相
測量原理：
粒度測量：動態(tài)光背散射技術(shù)和全量程米氏理論處理
Zeta電位測量：膜電極設(shè)計(jì)與“Y”型探頭形成微電場測量電泳遷移率
分子量測量：水力直徑或德拜曲線
光學(xué)系統(tǒng)：
3mW780nm半導(dǎo)體固定位置激光器，通過梯度步進(jìn)光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號，無需校正光
軟件系統(tǒng)：
*的Microtrac FLEX軟件提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力，包括圖形，數(shù)據(jù)輸出/輸入，個(gè)性化輸出報(bào)告，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù)，Microsoft Access格式（OLE）等。體積，數(shù)量，面積及光強(qiáng)分布，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求，包括口令保護(hù)，電子簽名和*等。
外部環(huán)境：
電源要求：90-240VAC，5A，50/60Hz
環(huán)境要求：溫度，10-35°C
標(biāo)準(zhǔn)：符合ISO13321，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008
主要特點(diǎn)：
﹡采用新的動態(tài)光散射技術(shù)，引入能普概念代替?zhèn)鹘y(tǒng)光子相關(guān)光譜法
﹡“Y”型光纖光路系統(tǒng)，通過藍(lán)寶石測量窗口，直接測量懸浮體系中的顆粒粒度分布，在加載電流的情況下，與膜電極對應(yīng)產(chǎn)生微電場，測量同一體系的Zeta電位， 避免樣品交叉污染與濃度變化。
﹡異相多譜勒頻移技術(shù)，較之傳統(tǒng)的方法，獲得光信號強(qiáng)度高出幾個(gè)數(shù)量級，提高分析結(jié)果的可靠性。
﹡可控參比方法（CRM），能精細(xì)分析多譜勒頻移產(chǎn)生的能譜，確保分析的靈敏度。
﹡超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設(shè)計(jì)，減少了多重散射現(xiàn)象的干擾，保證高濃度溶液中納米顆粒測試的準(zhǔn)確性。
﹡快速傅利葉變換算法（FFT，F(xiàn)ast FourierTransform Algorithm Method）,迅速處理檢測系統(tǒng)獲得的能譜，縮短分析時(shí)間。
﹡膜電極設(shè)計(jì)，避免產(chǎn)生熱效應(yīng)，能準(zhǔn)確測量顆粒電泳速度。
﹡無需比色皿，毛細(xì)管電泳池或外加電極池，僅需點(diǎn)擊Zeta電位操作鍵，一分鐘內(nèi)即可得到分析結(jié)果
﹡消除多種空間位阻對散射光信號的干擾，諸如光路中不同光學(xué)元器件間傳輸?shù)膿p失，樣品池位置不同帶來的誤差，比色皿器壁的折射與污染，分散介質(zhì)的影響，多重散射的衰減等，提高靈敏度。
