四探針電阻率測(cè)試儀的主要技術(shù)指標(biāo)

（1） 儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

（2） 范圍：電阻率10-4～10+4歐姆·厘米，分辨率為10-4歐姆·厘米

方塊電阻10-3～10+5歐姆/□，zui小分辨率為10-3歐姆/□

（3） 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等

可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜

可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜

（4） 測(cè)量方式：平面測(cè)量。

（5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時(shí)觀察電流、電壓變化

A.量程0~199.99 mV

B.基本誤差±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）

C.輸入阻抗﹥1000MΩ

D. 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999

（6） 恒流源：

A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

 C.恒流源精度：各檔均≤±0.05%

（7） 四探針測(cè)試探頭

A.探頭間距1.59㎜    

B.探針機(jī)械游率：±0.3%

C.探針直徑0.8㎜    

D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。

（8）        便攜式電阻率測(cè)試儀手動(dòng)測(cè)試架：

JCKDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試，探針頭可上下移動(dòng)距離：120mm，測(cè)試臺(tái)面200x200（mm）。

（9）     便攜式電阻率測(cè)試儀測(cè)量軟件：

JCKDY測(cè)量系統(tǒng)微控制器及配套軟件于硅晶體的電阻率測(cè)量，集多種測(cè)量方法為一體，是與JCKDY-1電阻率測(cè)試儀配套使用，自動(dòng)獲取電壓讀數(shù)，計(jì)算并修正電阻率值，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存，快速查詢，提供打印及數(shù)據(jù)導(dǎo)出到Excel中，操作簡(jiǎn)單，方便可靠。

（10  ）  四探針電阻率測(cè)試儀精度

電器精度：1-1000歐姆≤0.3 %

整機(jī)測(cè)量精度：1-500歐姆·厘米≤3%

（11）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W