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  • 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)-半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

ENJ3020 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)-半導(dǎo)體檢測(cè)儀器

參考價(jià)
200.00
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
規(guī)格
  • 1V~10KV200.00元99 件 可售
  • 型號(hào)ENJ3020
  • 品牌其他品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2023-11-10
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量32
  • 人氣值6476
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同類(lèi)產(chǎn)品

公司簡(jiǎn)介:西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司 是一家專(zhuān)業(yè)從事 半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備 研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的*。產(chǎn)品有半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數(shù)及可靠性和老化測(cè)試。靜態(tài)單脈沖(包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù))動(dòng)態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg)Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環(huán)境老化測(cè)試(包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等)熱特性測(cè)試(包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等)各類(lèi)全系列測(cè)試設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和下游產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車(chē)、新能源汽車(chē)、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈)




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產(chǎn)地國(guó)產(chǎn) 加工定制
美國(guó) ITC替代品 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)
大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)-半導(dǎo)體檢測(cè)儀器 產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)

動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)

環(huán)境老化測(cè)試(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)

熱特性測(cè)試(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)

可測(cè)試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

歡迎垂詢:Tel:173 -4295 -2894


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美國(guó) ITC替代品 大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

(ENJ3020 IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng))

一、大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)概述

ENJ—3020測(cè)試系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)系統(tǒng))是西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司推出的IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)符合國(guó)家標(biāo)GJB128-86和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4587-94測(cè)試規(guī)范。

系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。

系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/200A,電流可擴(kuò)展至2000A。

系統(tǒng)的自動(dòng)化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的智能測(cè)試,計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或 EXCEL 格式存儲(chǔ)。測(cè)試方法靈活,可*測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試。

系統(tǒng)采用品牌工控機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

系統(tǒng)安全穩(wěn)定,PLC 對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖。


天光測(cè)控ENJ—3020測(cè)試系統(tǒng)中控制系統(tǒng)主要由計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)和PLC控制系統(tǒng)組成

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是該測(cè)試設(shè)備的中心控制單元,設(shè)備有一部分的工作程序、工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)的動(dòng)作狀態(tài),數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)完成。計(jì)算機(jī)

采用研華工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)。

計(jì)算機(jī)中,裝有美國(guó)國(guó)家儀器公司生產(chǎn)的數(shù)據(jù)采集卡NI PCI6221卡2塊,NI PCI6221是一塊多功能的數(shù)據(jù)采集卡,具有三組數(shù)據(jù)端口,16/8個(gè)

模擬量輸入端口,兩個(gè)模擬量輸出口、兩個(gè)定時(shí)器計(jì)數(shù)器。

PLC控制系統(tǒng)              

控制系統(tǒng)除工控機(jī)外,還采用了歐姆龍系列的PLC,PLC主要對(duì)設(shè)備的工作時(shí)序、開(kāi)關(guān)動(dòng)作等進(jìn)行控制,并且與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通訊,完成了整個(gè)系

統(tǒng)的自動(dòng)控制功能;PLC不僅控制開(kāi)關(guān)的動(dòng)作,而且對(duì)系統(tǒng)中主要開(kāi)關(guān)的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,并與硬件進(jìn)行互鎖,實(shí)現(xiàn)了可靠的安全控制功能。

系統(tǒng)特征

針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)

大功率(IV可擴(kuò)展至4500A,6000V

自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作)

計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化文本或EXECL格式存儲(chǔ)

采用品牌工控機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

測(cè)試方法靈活(可*測(cè)試器件以及單個(gè)和多單元的模塊測(cè)試)

安全穩(wěn)定(PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并與硬件進(jìn)行互鎖)

二、大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試范圍

天光測(cè)控ENJ—3020系統(tǒng)是專(zhuān)為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT的各種靜態(tài)參數(shù):其測(cè)試范圍如下:

1)柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試VGES、IGES

2)柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試Vge(th)

3)集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試測(cè)試VCES、ICES

4)集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試測(cè)試Vge(sat)、IC

5)二極管壓降測(cè)試測(cè)試VF、IF

6)二極管反向可恢復(fù)直流電壓測(cè)試VR、IR

外形尺寸和電源要求

尺  寸:800×800×1800(mm)

質(zhì)  量:210kg

環(huán)境溫度:15~40℃

工作電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系統(tǒng)功耗: 380W

參數(shù)/條件

參數(shù)/條件







參  數(shù)



ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT




靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)


條  件



柵極-發(fā)射極漏電流IGES






IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA






集電極電壓VCE: 0V






柵 極 電 壓 VGE: 20V ±3%±0.2V






集電極-發(fā)射極電壓BVCES






集電極電壓VCES: 100-3500V±5%±10V(選配)






集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA


100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

柵   極 電 壓 VGE: 0V






集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT






VCESAT:0.1-10V






柵極電壓 V G E : ±15V±2%±0.2V






集電極電流ICE: 10-200A±5%(選配)



10-200A±5%

10-200A±5%

集電極-發(fā)射極截止電流ICES






集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA



100-3500V±5%

100-3000V±5%

集電極電壓VCE: 100-3500V±5%(選配)






柵 極 電 壓V G E : 0V






柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH






VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V






VGE=VCE






集電極電流ICE: 30mA±3%






二極管壓降測(cè)試VF






VF: 0.1-5V±3%±0.01V






柵極電壓VGE: 0V






流    I F : 10-200A±5%(選配)



10-200A±5%

10-200A±5%

導(dǎo)通電流    IC: 10-200A±5%






柵極電壓VGE:±15V±0.2V






歡迎垂詢:Tel:173 -4295 -2894












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