硅片是現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)*的基礎(chǔ)材料，而在硅片的生產(chǎn)過程中會有許多的污染物質(zhì)干擾產(chǎn)品的質(zhì)量，所以半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)硅片需要進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，通過清洗去除掉表面的污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無機(jī)物等，否則微量元素的污染會導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效。

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個(gè)晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。

多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學(xué)反應(yīng)、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝。

對于消毒系統(tǒng)和清洗系統(tǒng)而言有四種類型：低pH值型、高pH值型、高溫消毒型以及低濃度氧化消毒清洗型。單獨(dú)的消毒清洗程序只針對淡水、濃水以及給水管線而言，消毒清洗的循環(huán)過程可以獨(dú)立完成，獨(dú)立的循環(huán)程序也可同時(shí)進(jìn)行，從而減少總的使用時(shí)間。由于極水循環(huán)的低清洗流速，大多數(shù)情況下清洗過程必須同時(shí)與濃水循環(huán)清洗和淡水循環(huán)清洗同時(shí)進(jìn)行。清洗水箱及水泵是*的(CIP系統(tǒng))?？偣残枰鍡l清洗流水線：兩個(gè)進(jìn)口(淡水進(jìn)口和濃水進(jìn)口)以及三個(gè)出口(淡水出口，給水出口和濃水排放)。

工藝流程：

原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統(tǒng)→EDI水箱→拋光混床→用水點(diǎn)

設(shè)備特點(diǎn)：

1. 能耗低，水資源利用率高，設(shè)備運(yùn)行成本得到了有效控制。

2. 設(shè)備全自動化微電腦控制，當(dāng)運(yùn)行過程出現(xiàn)故障時(shí)，會及時(shí)停止，且具有自動保護(hù)功能。

3. 膜組件部分是采用進(jìn)口材料，表現(xiàn)出更高的溶質(zhì)分離率和透過速率。

4. 設(shè)備整體化程度高，易于擴(kuò)展，可以增加膜的過濾數(shù)量從而增加單位時(shí)間內(nèi)的處理量。

5. 系統(tǒng)整體無易損部件，不會存在大量需要維修的情況，保障設(shè)備的*有效運(yùn)行。

6. 結(jié)構(gòu)搭配合理，減少設(shè)備使用的占地面積。

7. 設(shè)備可連續(xù)生產(chǎn)，卡扣式安裝方式，維修維護(hù)快速便捷。

8. 出水水質(zhì)穩(wěn)定，設(shè)備的實(shí)用性設(shè)計(jì)強(qiáng)，便于日常使用。

9. 不需要處理廢酸廢堿，也不需要酸堿再生，*程度的節(jié)約日常運(yùn)行成本。

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：

GB6682-2000中國國家實(shí)驗(yàn)室用水GB6682-2000

GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法

GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則

GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法

GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法

GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機(jī)碳的測試方法

JBT 7621-1994 電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水

ASTM D5127-2007美國電子和半導(dǎo)體水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標(biāo)準(zhǔn)