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該技術(shù)在很大程度上解決了上述矢量控制的不足，并以新穎的控制思想簡潔明了的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)優(yōu)良的動(dòng)靜態(tài)性能得到了迅速發(fā)展。目前，該技術(shù)已成功地應(yīng)用在電力機(jī)車牽引的大功率交流傳動(dòng)上。直接轉(zhuǎn)矩控制直接在定子坐標(biāo)系下分析交流電動(dòng)機(jī)的數(shù)學(xué)模型，控制電動(dòng)機(jī)的磁鏈和轉(zhuǎn)矩。它不需要將交流電動(dòng)機(jī)等效為直流電動(dòng)機(jī)，因而省去了矢量旋轉(zhuǎn)變換中的許多復(fù)雜計(jì)算；它不需要模仿直流電動(dòng)機(jī)的控制，也不需要為解耦而簡化交流電動(dòng)機(jī)的數(shù)學(xué)模型。矩陣式交—交控制方式VVVF變頻矢量控制變頻直接轉(zhuǎn)矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。

　　用戶程序存儲(chǔ)器根據(jù)所選用的存儲(chǔ)器單元類型的不同（可以是RAM、EPROM或EEPROM存儲(chǔ)器），其內(nèi)容可以由用戶修改或增刪。用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可以用來存放（記憶）用戶程序中所使用器件的ON/OFF狀態(tài)和數(shù)據(jù)等。
　　用戶存儲(chǔ)器的大小關(guān)系到用戶程序容量的大小，是反映PLC性能的重要指標(biāo)之一。為了便于讀出、檢查和修改，用戶程序一般存于CMOS靜態(tài)RAM中，即隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)，掉電數(shù)據(jù)丟失，供電斷經(jīng)常和備用電池和超級(jí)電容連接，以實(shí)現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)保持。

　　保證掉電時(shí)不會(huì)丟失信息。為了防止干擾對(duì)RAM中程序的破壞，當(dāng)用戶程序經(jīng)過運(yùn)行正常，不需要改變，可將其固化在只讀存儲(chǔ)器EPROM中。現(xiàn)在有許多PLC直接采用EEPROM作為用戶存儲(chǔ)器。工作數(shù)據(jù)是PLC運(yùn)行過程中經(jīng)常變化、經(jīng)常存取的一些數(shù)據(jù)。
　　存放在RAM中，以適應(yīng)隨機(jī)存取的要求。在PLC的工作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中，設(shè)有存放輸入輸出繼電器、輔助繼電器、定時(shí)器、計(jì)數(shù)器等邏輯器件的存儲(chǔ)區(qū)，這些器件的狀態(tài)都是由用戶程序的初始設(shè)置和運(yùn)行情況而確定的。根據(jù)需要，部分?jǐn)?shù)據(jù)在掉電時(shí)用后備電池維持其現(xiàn)有的狀態(tài)，這部分在掉電時(shí)可保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)區(qū)域稱為保持?jǐn)?shù)據(jù)區(qū)。

　　一臺(tái)三墾IPKW變頻器在保修期內(nèi)損壞，上電無顯示。打開機(jī)器蓋子，仔細(xì)的觀察各個(gè)部分，發(fā)現(xiàn)充電電阻燒壞，接觸器線圈燒斷而且外殼焦糊。經(jīng)過追問，原來用戶電源電壓低，變頻器常常因?yàn)榍穳和C(jī)，就專門給變頻器配了一個(gè)升壓器。但是用戶并沒有注意到在夜間電壓會(huì)恢復(fù)正常，結(jié)果首先燒壞接觸器然后燒壞充電電阻。由于整流橋和電解電容耐壓相對(duì)較高而幸免于難。更換損壞器件修復(fù)。升降溫檢查法此法對(duì)于一些特殊的故障非常見效。人為地給一些溫度特性較差的元件加溫或降溫，產(chǎn)生“病癥”或“病癥來查找故障原因。

　　需要通過提高電壓實(shí)現(xiàn)大功率輸出。高壓電網(wǎng)供電電壓一般為為V或V，國外也有VV和V的電壓等級(jí)。高壓電機(jī)優(yōu)點(diǎn)是功率大，承受沖擊能力強(qiáng)；缺點(diǎn)是慣性大，啟動(dòng)和制動(dòng)都困難。直流電動(dòng)機(jī)的額定電壓也要與電源電壓相配合。一般為VV和V。其中V為常用電壓等級(jí)，大功率電機(jī)可提高到～V。當(dāng)交流電源為V，用三相橋式可控硅整流電路供電時(shí)，其直流電動(dòng)機(jī)的額定電壓應(yīng)選V，當(dāng)用三相半波可控硅整流電源供電時(shí)，直流電動(dòng)機(jī)的額定電壓應(yīng)為V。

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