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西門子數(shù)控系統(tǒng)修復所有問題，故障分析；西門子數(shù)控系統(tǒng)維修Uces：當GTR飽和導通時，C，E間的電壓降。⑶在開關過程中①開通時間Ton：從B極通入正向信號電流時起，到集電極電流上升到0.9Ics所需要的時間。②關斷時間Toff：從基極電流撤消時起，至Ic。整機高度簡潔，操作方便，外觀時尚，液晶及中文漢字顯示，指示信息全面，豐富而完美的中文提示，使一般的泵房管理人員無需經過復雜的培訓，也能對各項操作運用自如，而無需專業(yè)工程師對其操作。而對于安裝調試人員，溝通即可處理一般故障，節(jié)省時間，操作更輕松。

附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同。只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后。
從P基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合。
為了減少接觸熱阻，好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時。由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。一般保存IGBT模塊的場所。
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