電源模塊瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備
瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備是用于測(cè)量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。
(左圖)照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
特點(diǎn)
- BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備
本設(shè)備向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測(cè)量此時(shí)基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源,提升結(jié)點(diǎn)溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測(cè)量基極與發(fā)射極之間的電壓,計(jì)算出差值。 - IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測(cè)量儀器。 - P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
與BJT瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與源極之間電壓差值的測(cè)量儀器。 - 能夠測(cè)量二極管的ΔVF
主要的設(shè)備規(guī)格
Model No. | 2082B | 2083 | 2085 | 2086 |
---|---|---|---|---|
測(cè)量條件 | VCB 2~199V IE 0.1~29.9A IM 1~99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS | VCB 2~599V IE 0.1~249.9A IM 1~199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S | VCB 2~599V IE 0.1~500.0A IM 1~199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S | VCB 2~99V IE 0.1~99.9A IM 1~199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC |
測(cè)量范圍 | ΔVBE 1~999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV~9.99V VGS (max) 20V | ΔVBE 1~1999mV VBE (max) 3V 精度±1% | ΔVBE 1~1999mV VBE (max) 3V 精度±1% | ΔVBE 1~999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
采樣點(diǎn) | Td 50~990µS | Td 50~990µS | Td 50~990µS | Td 50~990µS |
大偏置條件 | ?PW 1mS時(shí) VCB 199V IE 29.9A ?PW 1S時(shí) VCB 20V IE 20.0A | ?PW 100µS時(shí) VCB 599V IE 250A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 50A | ?PW 100µS時(shí) VCB 599V IE 500A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 100A | ?PW 100µS時(shí) VCB 99V IE 99.9A ?PW DC時(shí) VCB 10V IE 50A |
樣品極性 | Nch/Pch NPN/PNP | NPN | NPN | NPN |
電源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ | AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ |
外形尺寸[mm] | W670 D750 H1400 | W820 D1350 H1700 | W820 D1350 H1700 | W670 D750 H1400 |
Model No. | 2087 | 2185 | 2186 |
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測(cè)量條件 | VCB 2~1200V IE 0.1~999.9A IM 1~999mA 精度±1% PW 0.1~99.9mS 1~999mS 0.01~9.99S 0.1~99.9S 1~999S | VCE 5~99V IE 1~399A IM 1~99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S | VCE 10~1200V IE 0.1~99.9A IM 1~99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
測(cè)量范圍 | ΔVBE 1~999mV VBE (max) 3V 精度±1% | ΔVGE 5~1999mV VGE (max) 20V 精度±1% | ΔVGE 10~999mV VGE (max) 20V 精度±1% |
采樣點(diǎn) | Td 50~990µS | Td 50~990µS | Td 50~990µS |
大偏置條件 | ?PW 100µS時(shí) VCB 1200V IE 1000A ?PW 2S時(shí) VCB 20V IE 200A | ?PW 1mS時(shí) VCE 99V IE 399A ?PW 2S時(shí) VCE 20V IE 100A | ?PW 100µS時(shí) VCE 1200V IE 99.9A ?PW 2S時(shí) VCE 20V IE 50A |
樣品極性 | NPN | Nch NPN | Nch NPN |
電源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ | AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ | AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ |
外形尺寸[mm] | W1600 D2000 H1600 | W1520 D2100 H1750 | W800 D1600 H2000 |