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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備

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  • 更新時(shí)間2021-01-05
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量175
  • 人氣值14860
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  為了應(yīng)對(duì)日新月異的技術(shù)革新和需求的多樣化,達(dá)成事業(yè)的化,日立*集團(tuán)同時(shí)具有用先端技術(shù)開發(fā)制造新產(chǎn)品的制造功能和向提供優(yōu)化解決方案的貿(mào)易公司機(jī)能,是一家在先端科技領(lǐng)域里向*更快、更好地提供產(chǎn)品和服務(wù)的性企業(yè)。
 
  日立*集團(tuán)Z重視的是在中國地區(qū)的事業(yè)戰(zhàn)略。我們?cè)谏虾?、北京、深圳、香港設(shè)立了獨(dú)資公司,這些地方分公司在中國的11個(gè)地區(qū)設(shè)有銷售和技術(shù)服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)。同時(shí)在蘇州和大連還設(shè)有生產(chǎn)基地。日立*集團(tuán)不但支持中國電子產(chǎn)業(yè)和高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的半導(dǎo)體制造,而且提供各種解析設(shè)備,LCD制造和檢查設(shè)備,芯片貼裝設(shè)備等。在保障人民安全和健康的科學(xué)醫(yī)療領(lǐng)域,還提供各種解析、分析儀器及應(yīng)用相關(guān)系統(tǒng)等*開發(fā)產(chǎn)品和相應(yīng)的優(yōu)質(zhì)且完善的售后服務(wù)。此外,日立*集團(tuán)從中國各地向*提供支持電子、高科技、汽車產(chǎn)業(yè)、環(huán)境和節(jié)能技術(shù)的各種新功能材料的采購解決方案,通過靈活利用網(wǎng)絡(luò)和其貿(mào)易公司功能,實(shí)現(xiàn)創(chuàng)造附加價(jià)值的事業(yè)模式。
 
  日立*中國實(shí)業(yè)集團(tuán)作為被大家所信賴的企業(yè),在遵紀(jì)守法的同時(shí),力爭(zhēng)創(chuàng)造新的價(jià)值,以“客戶*位為根本”開展工作,探求持續(xù)性發(fā)展,通過營銷活動(dòng)為中國的高科技產(chǎn)業(yè)、環(huán)境及能源事業(yè)、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的安全、人民健康等方面的發(fā)展,不斷地做著積極的貢獻(xiàn)。衷心希望今后也能夠繼續(xù)得到大家的支持和厚愛。
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瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備是用于測(cè)量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。(左圖)照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
電源模塊瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備 產(chǎn)品詳情

電源模塊瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備

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電源模塊瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備

瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備是用于測(cè)量IGBT/MOS-FET/Diod/BJT等的瞬態(tài)熱電阻的儀器。

(左圖)照片為Model2085瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀

特點(diǎn)

  1. BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬態(tài)熱電阻測(cè)量設(shè)備
    本設(shè)備向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測(cè)量此時(shí)基極與發(fā)射極之間的電壓。隨后在集電極與發(fā)射極之間施加電源,提升結(jié)點(diǎn)溫度。切斷電源后再次向晶體管的基極•發(fā)射極通入微電流,測(cè)量基極與發(fā)射極之間的電壓,計(jì)算出差值。
  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
    與BJT瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與發(fā)射極之間電壓差值的測(cè)量儀器。
  3. P-MOS FET瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀
    與BJT瞬態(tài)熱電阻測(cè)量儀在同一時(shí)間計(jì)算柵極與源極之間電壓差值的測(cè)量儀器。
  4. 能夠測(cè)量二極管的ΔVF

主要的設(shè)備規(guī)格

Model No.2082B208320852086
測(cè)量條件VCB 2~199V
IE 0.1~29.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5,10mS
20,50,100, 200mS
500, 1000mS
VCB 2~599V
IE 0.1~249.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~599V
IE 0.1~500.0A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
VCB 2~99V
IE 0.1~99.9A
IM 1~199mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2,5S,DC
測(cè)量范圍ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
ΔVGS
10mV~9.99V
VGS (max) 20V
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~1999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
采樣點(diǎn)Td 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µS
大偏置條件?PW 1mS時(shí)
VCB 199V
IE 29.9A
?PW 1S時(shí)
VCB 20V
IE 20.0A
?PW 100µS時(shí)
VCB 599V
IE 250A
?PW 2S時(shí)
VCB 20V
IE 50A
?PW 100µS時(shí)
VCB 599V
IE 500A
?PW 2S時(shí)
VCB 20V
IE 100A
?PW 100µS時(shí)
VCB 99V
IE 99.9A
?PW DC時(shí)
VCB 10V
IE 50A
樣品極性Nch/Pch
NPN/PNP
NPNNPNNPN
電源AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±10%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]W670
D750
H1400
W820
D1350
H1700
W820
D1350
H1700
W670
D750
H1400
Model No.208721852186
測(cè)量條件VCB 2~1200V
IE 0.1~999.9A
IM 1~999mA
精度±1%
PW
0.1~99.9mS
1~999mS
0.01~9.99S
0.1~99.9S
1~999S
VCE 5~99V
IE 1~399A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
1,2,5, 10mS
20,50, 100,mS
200,500mS
1,2,5,10S
VCE 10~1200V
IE 0.1~99.9A
IM 1~99mA
精度±1%
PW
100,200, 500µS
1,2,5,10, 50mS
100,200, 500mS
1,2S
測(cè)量范圍ΔVBE
1~999mV
VBE (max) 3V
精度±1%
ΔVGE
5~1999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
ΔVGE
10~999mV
VGE (max) 20V
精度±1%
采樣點(diǎn)Td 50~990µSTd 50~990µSTd 50~990µS
大偏置條件?PW 100µS時(shí)
VCB 1200V
IE 1000A
?PW 2S時(shí)
VCB 20V
IE 200A
?PW 1mS時(shí)
VCE 99V
IE 399A
?PW 2S時(shí)
VCE 20V
IE 100A
?PW 100µS時(shí)
VCE 1200V
IE 99.9A
?PW 2S時(shí)
VCE 20V
IE 50A
樣品極性NPNNch
NPN
Nch
NPN
電源AC100V
±10%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
AC200V
±5%
50/60Hz 1Φ
外形尺寸[mm]W1600
D2000
H1600
W1520
D2100
H1750
W800
D1600
H2000

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SIEMENS電源模塊6ES7 288-3AE04-0AA0 AE04 面議 上海市 上海乾拓貿(mào)易有限公司 2024-12-23 在線詢價(jià)
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