公司產(chǎn)品：
光開關(guān)：機(jī)械光開關(guān)（單模保偏可選），MEMS光開關(guān) ；ns光開關(guān)（80ns-120ns）都可以做多通道陣列
光衰減器：機(jī)械式光衰減器，mems光衰減器（mini型 外徑3.5mm），臺(tái)式衰減器，軍級別，電信級別。單模保偏可選
光纖延遲線：手動(dòng)光延遲線，電動(dòng)光延遲線，超高速飛秒光延遲線，高精度
產(chǎn)品描述：
具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級，達(dá)到100ns級，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，*的集成度有助于大幅度減小模塊尺寸，純固態(tài)波導(dǎo)芯片使其具備的可靠性。
關(guān)鍵特征：
100ns級高速響應(yīng)、多至48通道單片集成、全固態(tài)波導(dǎo)芯片、超低光損耗。
典型應(yīng)用：
通道間光功率均衡或阻塞、WDM網(wǎng)絡(luò)光功率控制、1×1光開關(guān)、模擬信號調(diào)制（靜態(tài)穩(wěn)定、無需工作點(diǎn)反饋控制回路）。
主要指標(biāo)（典型值）：
性能指標(biāo) | 單位 | 吸收型 | 備注 |
工作波長 | nm | 1525～1565 | |
響應(yīng)時(shí)間 | ns | 100-300 | |
插入損耗 | dB | 1.2 | 光纖進(jìn)到光纖出的損耗 |
衰減范圍 | dB | 25 | |
偏振相關(guān)性 | dB | ≤0.3 | @0dB衰減時(shí) |
≤0.5 | @0~25d衰減時(shí) | ||
功耗(@18dB衰減) | mW | 150 | 隨衰減量增大而增大 |
電壓 | V | 1.2 | |
電流 | mA | 0-35 | |
集成度 | / | 6CH/48CH |
