這款高速EMCCD相機是一款具有較高成像采樣速度的多用途高速電子倍增CCD相機，具有光子計數(shù)級別的超高靈敏度,滿足太空和天文觀測,生命科學,物理學等微光成像應用。這款高速EMCCD相機具有電子倍增EMCCD相機的性能：幾乎沒有噪音并具有單光子計數(shù)級別的靈敏度,具有較快的成像速度和的圖像質量,適合低通量成像和微光成像。
高速EMCCD相機特點
具有良好的SNR信噪比
技術消除EMCCD相機固有的噪音,具有真是光子計數(shù)成像的能力
具有單光子計數(shù)能力的的EMCCD芯片圖像傳感器
的背景噪音和的電子倍增EM功能,增益高達5000
對于超弱光成像,可提供反向工作模式IMO優(yōu)化成像結果
大視場FOV，滿足各種應用需要
超高靈敏度,滿足低通量成像需要,
滿幅采樣成像速度高達90fps，讀取速率高達30MHz
超高電荷轉移效率支持超好的圖像質量
無噪音濾波算法提供較低的噪音，避免了消除真光電子的風險
可在EM電子倍增和傳統(tǒng)CCD之間轉換
多區(qū)域選擇功能mROI,可以只讓所選區(qū)域的CCD芯片工作，提高采用速度
高速EMCCD相機特色為您帶來的益處
高速EMCCD相機規(guī)格參數(shù)
數(shù)字化：16bits
EM電子倍增：1-5000
空氣最小制冷溫度：-80℃
液氮最小制冷溫度：-90℃
芯片溫度穩(wěn)定性：+/-0.01℃
量子效率：>90% @600nm
EM像素井深：800ke-
光譜范圍：250-1100nm
觸發(fā)：內觸發(fā)或外觸發(fā)均可，可選信號極性
曝光時間范圍：25ns-數(shù)天
時間戳分辨率：4ns
讀取噪音： <0.1e-@20MHz (EM模式), 3e-@100KHz (傳統(tǒng)CCD模式）
垂直時鐘速度：1-10us (EM模式）， 1-10us (傳統(tǒng)CCD模式）
暗電流：0.00007e-/像素/秒
電荷轉移效率：>0.999989
單光子探測能力：>91% (10MHz, EM增益5000時）
成像面積： 1024x1024像素, 13um x 13um, 13.3mm x 13.3mm (有效面積）
大視場EMCCD相機多區(qū)域選擇功能mROI
高速EMCCD相機特點
具有良好的SNR信噪比
技術消除EMCCD相機固有的噪音,具有真是光子計數(shù)成像的能力
具有單光子計數(shù)能力的的EMCCD芯片圖像傳感器
的背景噪音和的電子倍增EM功能,增益高達5000
對于超弱光成像,可提供反向工作模式IMO優(yōu)化成像結果
大視場FOV，滿足各種應用需要
超高靈敏度,滿足低通量成像需要,
滿幅采樣成像速度高達90fps，讀取速率高達30MHz
超高電荷轉移效率支持超好的圖像質量
無噪音濾波算法提供較低的噪音，避免了消除真光電子的風險
可在EM電子倍增和傳統(tǒng)CCD之間轉換
多區(qū)域選擇功能mROI,可以只讓所選區(qū)域的CCD芯片工作，提高采用速度
高速EMCCD相機特色為您帶來的益處
| 相機的特色功能 | 給您帶來的益處 |
| EM增益發(fā)呢我i1-5000 | 超低讀取噪音，提供了單光子探測級別的靈敏度 |
| 超低的時鐘誘發(fā)電荷CIC | 帶來信噪比SNR, 帶來的背景噪音，提高圖像質量 |
| 計數(shù)的真實光子計數(shù) | 電子倍增EM模式下可提供線性和光子計數(shù)模式 |
| 電荷轉移效率 | 更清晰的圖像，沒有像素泄露問題 |
| 良好的制冷表現(xiàn) | 帶來超低的可忽略的暗電流，良好的電荷轉移效率 |
| 的量子效率 | 帶來的靈敏度，背向照明技術的EMCCD圖像傳感器 |
| 像素讀取速率更高 | 帶來的采樣成像速率 |
| 可選輸出 | 快速轉換傳統(tǒng)CCD相機和EMCCD相機模式 |
| 時間戳 | 每次采集高精度時間記錄 |
| 多區(qū)域選擇mROI | 可在探測器上選擇多個感興趣區(qū)域，提高采樣速度 |
| Cropped-sensor模式 | 掩蓋部分探測器部分，獲得更快采樣速率 |
| 外部觸發(fā)模式 | 優(yōu)化控制采樣幀頻 |
高速EMCCD相機規(guī)格參數(shù)
| 傳感器型號 | HNU-512 | HNU-512-IS | HNU-512-HS |
| 成像速度 | 63fps | 63fps | 90fps |
| EM通道讀取速率 | 10MHZ，20MHZ | 10MHZ，20MHZ | 20MHZ，30MHZ |
| 傳統(tǒng)CCD模式讀取速率 | 0.1MHz, 1.3MHz | 0.1MHz, 1.3MHz | 0.1MHz, 1.3MHz |
| 時鐘誘發(fā)電荷 | 0.0009電子/像素/幀 | 0.0009電子/像素/幀 | 0.002電子/像素/幀 |
| 動態(tài)范圍（數(shù)字化） | 16bits | 16bits | 16bits |
| 電子增益 | 1-5000 | 1-5000 | 1-5000 |
| 芯片上溫度穩(wěn)定性 | +/-0.01℃ | +/-0.01℃ | +/-0.01℃ |
| 最小空氣制冷溫度 | -85℃ | -60℃ | -60℃ |
| 最小液體制冷溫度 | -90℃ | -70℃ | -70℃ |
| 量子效率 | >90%@600nm | >90%@600nm | >90% @600nm |
| EM注冊像素井深 | 800ke- | 800ke- | 800ke- |
| 光譜范圍 | 250-1100nm | 250-1100nm | 250-1100nm |
| 觸發(fā)功能 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 | 內部觸發(fā)或外部觸發(fā) 可選擇信號極性 |
| 曝光時間范圍 | 25ns~幾天 | 25ns~幾天 | 25ns~幾天 |
| 時間戳分辨率 | 4ns | 4ns | 4ns |
| 讀取噪音 | <0.1e-@20MHZ (EM模式） 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD) | <0.1e-@20MHZ（EM模式） 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD） | <0.1e-@20MHZ（EM模式） 3e-@100KHZ(傳統(tǒng)CCD） |
| 垂直時鐘速度 | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng)：0.3~5us | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng)：0.3~5us | EM: 0.3~5us 傳統(tǒng)：0.3~5us |
| 暗電流 | 0.0001e-/像素/幀 | 0.0015e-/像素/幀 | 0.0015e-/像素/幀 |
| 電荷轉移效率 | >0.999993 | >0.999993 | >0.999993 |
| 單光子探測能力 (10MHz,EM增益5000時） | >91% | >91% | >91% |
| 成像面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 | 512x512像素 16um x 16um像素面積 8.19mm x 8.19mm 有效面積 |
數(shù)字化：16bits
EM電子倍增：1-5000
空氣最小制冷溫度：-80℃
液氮最小制冷溫度：-90℃
芯片溫度穩(wěn)定性：+/-0.01℃
量子效率：>90% @600nm
EM像素井深：800ke-
光譜范圍：250-1100nm
觸發(fā)：內觸發(fā)或外觸發(fā)均可，可選信號極性
曝光時間范圍：25ns-數(shù)天
時間戳分辨率：4ns
讀取噪音： <0.1e-@20MHz (EM模式), 3e-@100KHz (傳統(tǒng)CCD模式）
垂直時鐘速度：1-10us (EM模式）， 1-10us (傳統(tǒng)CCD模式）
暗電流：0.00007e-/像素/秒
電荷轉移效率：>0.999989
單光子探測能力：>91% (10MHz, EM增益5000時）
成像面積： 1024x1024像素, 13um x 13um, 13.3mm x 13.3mm (有效面積）
大視場EMCCD相機多區(qū)域選擇功能mROI
