這款二極管激光器疊層列陣采用垂直堆疊半導體激光列陣巴條和主動冷卻技術,可在準連續(xù)QCW模式下輸出250W功率,可提供808nm,904nm激光波長。
半導體激光器疊層陣列采用主動制冷技術,使用微通道激光二極管列陣,可采用去離子水循環(huán)冷卻,非常適合工業(yè)激光應用。
半導體激光器疊層陣列特點
高功率
壽命長
光束質量好
CW連續(xù)激光模式
現(xiàn)款現(xiàn)貨
半導體激光器疊層陣列應用
DPSSL半導體泵浦固體激光器泵浦
光纖激光器泵浦
焊接
材料熱處理
光膠固化
半導體激光器疊層陣列規(guī)格參數
半導體激光器疊層陣列采用主動制冷技術,使用微通道激光二極管列陣,可采用去離子水循環(huán)冷卻,非常適合工業(yè)激光應用。
半導體激光器疊層陣列特點
高功率
壽命長
光束質量好
CW連續(xù)激光模式
現(xiàn)款現(xiàn)貨
半導體激光器疊層陣列應用
DPSSL半導體泵浦固體激光器泵浦
光纖激光器泵浦
焊接
材料熱處理
光膠固化
半導體激光器疊層陣列規(guī)格參數
| 型號 | HVSxx-Y -150-808(Q) | HVSxx-Y -200-808(Q) | HVSxx-Y -250-808(Q) | HVSxx-Y -200-940(Q) |
| 中心波長 | 808 ±3nm | 808 ±3nm | 808 ±3nm | 940 ±3nm |
| 輸出光功率 | 150W | 200W | 250W | 200W |
| 巴條數 | 2~40 | 2~40 | 2~40 | 2~40 |
| 巴條間距 | 1.7mm | 1.7mm | 1.7mm | 1.7mm |
| Fill factor | 83% | 80% | 75% | 75% |
| 發(fā)射體個數 | 75 | 40 | 62 | 62 |
| 發(fā)射體寬度 | 100μm | 200μm | 100μm | 100μm |
| 光譜帶寬FWHM | ≤6nm | ≤4nm | ≤4nm | ≤6nm |
| 光譜帶寬FW90%E | ≤6nm | ≤6nm | ≤8nm | ≤8nm |
| 快軸發(fā)散角 | 35度 | 35度 | 35度 | 35度 |
| 慢軸發(fā)散角 | 8度 | 8度 | 8度 | 8度 |
| 偏振模式 | TM | TE | TE | TE |
| 波長溫度系數 | ~0.28nm/℃ | ~0.28nm/℃ | ~0.28nm/℃ | ~0.34nm/℃ |
| 工作電流Iop | ≤170A | ≤190A | ≤250A | ≤250A |
| 閾值電流Ith | ≤15A | ≤25A | ≤32A | ≤18A |
| 工作電壓Vop | ≤2V | ≤2V | ≤2V | ≤2V |
| 斜效率 | ≥1W/A | ≥1.1W/A | ≥1.15W/A | ≥1.05W/A |
| 功耗效率 | ≥42% | ≥50% | ≥52% | ≥50% |
| 脈寬 | ≤0.3ms | ≤0.3ms | ≤0.3ms | ≤1.2ms |
| 占空比 | ≤10% | ≤10% | ≤10% | ≤10% |
| 工作溫度 | 15-25℃ | 15-25℃ | 15-25℃ | 15-25℃ |
| 存儲溫度 | -40~60℃ | -40~60℃ | -40~60℃ | -40~60℃ |
| 制冷介質 | 去離子水 | 去離子水 | 去離子水 | 去離子水 |
| 流量/巴條 | 0.5~0.7L/min | 0.5~0.7L/min | 0.5~0.7L/min | 0.5~0.7L/min |
| 輸入壓力 | 380kPa | 380kPa | 380kPa | 380kPa |
| 電導率要求 | 0.2~0.5Ω-cm | 0.2~0.5Ω-cm | 0.2~0.5Ω-cm | 0.2~0.5Ω-cm |
