ANS305-DST單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)
機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的
能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的電磁*，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。
主要參數(shù) 應(yīng)用場(chǎng)合測(cè)量介質(zhì)壓力類(lèi)型 差壓量程范圍 10kPa - 1MPa，詳見(jiàn)選型表輸出信號(hào) 4-20mA、4-20mA+HART、ModbusRTU/RS485及其它參考精度 ±0.2%量程上限，大±0.5%量程上限，詳見(jiàn)規(guī)格參數(shù)與接觸材質(zhì)兼容的流體壓力、液位、差壓、密度、界面、流量。
規(guī)格參數(shù)標(biāo)稱(chēng)量程 最小量程 量程下限（LRL） 量程上限（URL） 靜壓范圍* 單向高壓端過(guò)載* 單向低壓端過(guò)載*40kPa 4kPa -40kPa 40kPa 40MPa 25MPa 16MPa250kPa 25kPa -250kPa 250kPa 40MPa 25MPa 500kPa1MPa 100kPa -500kPa 1MPa 40MPa 25MPa 500kPa設(shè)置高、低限值要求：低限值（LRV）與高限值（URV）在量程上下限范圍內(nèi)取值，當(dāng)｜URV｜≥｜LRV｜時(shí)，須滿(mǎn)足｜URV｜≥最小量程；當(dāng)｜URV｜≤｜LRV｜時(shí)，須滿(mǎn)足｜LRV｜≥最小量程*過(guò)壓限定值：取決于承壓能力最弱部件的壓力值，此過(guò)載壓力為傳感器所能承受的大壓力，而非產(chǎn)品本身所能承受的大壓力量程及范圍極限測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開(kāi)始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、【靜壓影響 】、和其它影響的綜合誤差典型精度：±0.2%量程上限年穩(wěn)定性：±0.2%量程上限/5年性能指標(biāo)參考精度在-20-80℃范圍內(nèi)總影響量 ±（0.1+0.1TD）%量程上限環(huán)境溫度影響靜壓影響零點(diǎn)影響 ±0.15TD%量程上限/4MPa滿(mǎn)量程影響 ±0.2%量程上限/4MPa當(dāng)供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化， 其零點(diǎn)和量程的變化應(yīng)不超過(guò) ±0.005%量程上限/V電源影響任意位置安裝，大不超過(guò)400Pa可通過(guò)清零功能校正按GB/T1827.3/IEC61298-3測(cè)試，＜0.1%量程上限安裝位置影響振動(dòng)影響輸出信號(hào)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試基準(zhǔn)條件，包括線性（BFSL）、遲滯、重復(fù)性。校準(zhǔn)溫度：20℃±5℃線性輸出精度TD≤10（注1） ±0.2%量程上限 標(biāo)稱(chēng)量程40kPa、250kPa 、1MPa、大值 ±0.5%量程上限平方根輸出精度為以上線性參考精度的1.5倍注1：TD（Turn down）是指量程比，當(dāng)｜URV｜≥｜LRV｜時(shí)，TD=URL/｜URV｜當(dāng)｜URV｜≤｜LRV｜時(shí)，TD=URL/｜LRV｜ 信號(hào) 類(lèi)型 輸出方式4-20mA 線性 二線制4-20mA+HART 線性 二線制Modbus-RTU/RS485 線性 四線制
