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MProbe RT薄膜測(cè)厚儀

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  • 所在地
  • 更新時(shí)間2021-10-27
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量12
  • 人氣值105
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美國(guó)semisonsoft公司的薄膜測(cè)厚儀測(cè)量厚度可以低至1nm,厚至1mm,埃級(jí)分辨率,非接觸式無損快速測(cè)量。廣泛的應(yīng)用與各種生產(chǎn)或研究中,比如測(cè)量薄膜太陽能電池的CIGS層,觸摸屏中的ITO層等。大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。比如:半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅)半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS)微電子機(jī)械(MEMS)氧化物/氮化物光刻膠硬涂層(碳化硅,類金剛石炭)聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)高分子聚合物我們非常樂意與您討論有光薄膜的任何問題,希望我們多年的薄膜厚度測(cè)量經(jīng)驗(yàn)?zāi)芙鉀Q您所遇到的薄膜厚度測(cè)量問題。
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MProbe RT薄膜測(cè)厚儀
MProbe RT薄膜測(cè)厚儀 產(chǎn)品詳情

薄膜測(cè)厚


該機(jī)大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

測(cè)量范圍: 1 nm -20um(UVVis),1nm-150um(UVVisNIR)

波長(zhǎng)范圍: 200 nm -1000 nm(UVVis)

200nm-1700nm(UVVisNIR)

適用于實(shí)時(shí)在線測(cè)量,多層測(cè)量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等;


藍(lán)寶石基底上1025nm厚度的氧化物薄膜的反射率和透射率,波長(zhǎng)范圍(200-1700nm)

MProbe RT薄膜測(cè)厚儀


系統(tǒng)性能參數(shù):

精度 <0.1nm or 0.01%
準(zhǔn)確度 <0.2% or 1 nm
穩(wěn)定性 <0.05nm or 0.03%
光斑直徑 標(biāo)準(zhǔn)2mm, 可以小至3um
樣品大小 大于1 mm


測(cè)量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù)

界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測(cè)量和分析。

實(shí)用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測(cè)量,動(dòng)態(tài)測(cè)量和產(chǎn)線批量處理。


技術(shù)參數(shù):

測(cè)量范圍 1nm-50um 或1nm-150um
精度 <0.1nm or 0.01%
準(zhǔn)確度 <0.2% or 1 nm
穩(wěn)定性 <0.05nm or 0.03%
波長(zhǎng)范圍 200-1000nm 或 200-1700nm
光譜儀和檢測(cè)器 F4光譜儀,3600像素CCD檢測(cè)器,16位深
F3光譜儀,512像素InGaAs 檢測(cè)器
光譜分辨率 2nm(UVVis),4nm(NIR)
光源 20W鹵鎢燈(添加氙),色溫3100,壽命:2000小時(shí)


MProbe RT薄膜測(cè)厚儀

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我們樂意為您進(jìn)行免費(fèi)樣品測(cè)量,歡迎。


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