產(chǎn)品描述：
 FWLP系列芯片熱敏電阻俗稱(chēng)裸片NTC,該裸片采用*的高溫固相工藝制作，粉體制備、高溫?zé)Y(jié)、切片劃片、電極制備、分析測(cè)試等都通過(guò)國(guó)內(nèi)的高性能設(shè)備，芯片表面鍍金或鍍銀處理的耐高溫高精度芯片，具有良好的耐熱循環(huán)能力、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，NTC裸片使用溫度范圍為：-50度至300度。NTC芯片引線焊接工藝可用：插片浸錫、電子壓焊、人工焊接、藍(lán)膜包裝NTC芯片綁定。

  產(chǎn)品尺寸圖：

電氣性能：
未封裝前熱敏電阻芯片應(yīng)滿(mǎn)足：R25℃=99KΩ～101KΩ
NTC芯片B值：B25/50=3910K～3989K
熱敏電阻裸片焊接變化率（250℃/1Sс.）≤0.3%
熱循環(huán)沖擊試驗(yàn)：將環(huán)氧封熱敏電阻放置于－30℃的油槽中5min←→90℃的油槽中5 min，循環(huán)1000次后的電性能（R25）的變化率小于±1%。
高溫老化試驗(yàn)：將環(huán)氧封NTC熱敏電阻放置于120℃±3℃的烘箱中老化999小時(shí)，老化后的電性能（R25）的變化率小于±1%。
低溫老化試驗(yàn)：將環(huán)氧封熱敏電阻放置于－30℃±5℃的油槽中老化999小時(shí)，老化后的電性能（R25）的變化率小于±1%。
5V直流電下高溫老化試驗(yàn)：將環(huán)氧封熱敏電阻在120℃±5℃的環(huán)境條件中通5V直流電老化999小時(shí)后，其電性能（R25）的變化率小于±1%。

應(yīng)用范圍：
漆包線熱敏電阻、小皮線熱敏電阻、薄膜熱敏電阻
裸片工藝溫度傳感器、綁定場(chǎng)合用芯片NTC
環(huán)氧樹(shù)脂封裝熱敏電阻、 混合設(shè)計(jì)多功能模塊 
IGBT、熱電堆陳列模組、熱電堆感測(cè)器，光電通信、半導(dǎo)體激光器/探測(cè)器