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ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀

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  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新時(shí)間2022-02-24
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量108
  • 人氣值416
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蘇州晶格電子,十年專注材料導(dǎo)電性能測(cè)試,是一家電阻率、方阻測(cè)試儀器研發(fā)生產(chǎn)*。

 

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四探針測(cè)試儀:

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粉末電阻率測(cè)試儀:

  可測(cè)粉末狀的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料的電阻率。

超高阻微電流測(cè)試儀:

  可測(cè)固體、薄膜或涂層狀的絕緣抗靜電材料的電阻率、表面電阻;

土壤電阻率測(cè)試儀:

  可測(cè)土壤電阻率和防雷接地裝置接地電阻;

電阻測(cè)試儀:

  可測(cè)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、高阻元件的電阻或接觸電阻;

PN類型測(cè)試儀:

  可測(cè)半導(dǎo)體材料的PN類型及重?fù)健?/span>

 

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ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀簡介一結(jié)構(gòu)特征ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀ST2263軟件界面配S2253-F01鎢針探頭測(cè)硅片配ST2558B-F01探頭測(cè)試ITO薄膜二、概述ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改進(jìn)形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量儀器
ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀 產(chǎn)品詳情

ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀簡介

一 結(jié)構(gòu)特征

ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀
ST2263 軟件界面
配S2253-F01鎢針探頭測(cè)硅片 配ST2558B-F01探頭測(cè)試ITO薄膜
二、概述
ST2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改進(jìn)形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測(cè)量,對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析,自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,它與單電測(cè)直線或方形四探針相比,大大提高正確度,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
儀器成套組成:由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等部分組成。
主機(jī)主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成,USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入;具有零位、滿度自校功能;測(cè)試功能可自動(dòng)/手動(dòng)方式;儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作完成,也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上獨(dú)立操作完成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示,也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打??!
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。
測(cè)試臺(tái)選配:一般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測(cè)試臺(tái)。
詳見四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考點(diǎn)擊進(jìn)入
儀器具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、測(cè)量簡便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試,特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
三、基本技術(shù)參數(shù)
3.1 測(cè)量范圍
電阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm
方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□
電 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω
3.2 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)
直 徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
SZT-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm,手持方式不限.
長(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可
3.3. 4-1/2 位數(shù)字電壓表:
(1)量程: 20.00mV~2000mV
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.4 數(shù)控恒流源
(1)量程:0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA,1A
(2)誤差:±0.1%讀數(shù)±2 字
3.5 四探針探頭(選配其一或加配全部)
(1)碳化鎢探針:Φ0.5mm,直線探針間距1.0mm,探針壓力: 0~2kg 可調(diào)
(2)薄膜方阻探針:Φ0.7mm,直線或方形探針間距2.0mm,探針壓力: 0~0.6kg 可調(diào)
3.6 電源
輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<20W
3.7 外形尺寸:
主機(jī) 220mm(長)×245 mm(寬)×100mm(高)
四、詳情請(qǐng)登陸蘇州晶格電子有限公司網(wǎng)站.cn
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五、:/ 丁先生

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