System 100 -等離子刻蝕與沉積設(shè)備
該設(shè)備是一個靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備。 采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴(kuò)大了允許的溫度范圍。
具有的工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學(xué),光子學(xué),微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù), PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。
主要特點
可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預(yù)制和試生產(chǎn)的能力
選擇單晶片/批處理或盒式進(jìn)樣,采用真空進(jìn)樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統(tǒng)中,采用機(jī)械手傳送晶片,生產(chǎn)工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C
用于終端檢測的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強(qiáng)刻蝕控制
選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠(yuǎn)端,遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備
工藝
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設(shè)備的例子:
低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應(yīng)用于MEMS ,微流體技術(shù)和光子技術(shù)
用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
高品質(zhì),高速率SiO2沉積,應(yīng)用于光子器件
金屬(Nb, W)刻蝕
的單晶片刻蝕技術(shù)-PlasmaPro100 Sapphire。牛津儀器致力于固態(tài)照明的技術(shù)革新,憑著在HBLED相關(guān)材料方面經(jīng)驗豐富,設(shè)備使用成本控制和符合產(chǎn)量要求的同時,我們的新技術(shù)還可以地提高客戶的產(chǎn)品良率。
針對HBLED茍刻的化學(xué)環(huán)境要求,PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的設(shè)計,可以在直徑為200mm的晶片上進(jìn)行快速和均勻的刻蝕。牛津儀器一直努力地為客戶提供創(chuàng)新的、有效控制成本和可靠的工藝方案。這個設(shè)計的設(shè)備滿足了所有的要求。
主要特點和優(yōu)勢包括:具有的靜電吸盤技術(shù),能固定藍(lán)寶石,和生長藍(lán)寶石或硅上的氮化鎵;高功率的ICP能生產(chǎn)出高密度的等離子體;磁隔離區(qū)可提高離子控制和均勻性;高電導(dǎo)泵水系統(tǒng)可以在低壓下地運送氣體。