這些i-line步進(jìn)器具有與尼康DUV掃描儀相同的縮小率和視場大小，是曝光次臨界層的理想選擇，這些層大約占設(shè)備20層或更多層的一半。這些特性與高產(chǎn)量相結(jié)合，提供了成本性能和生產(chǎn)力的組合，有助于降低資本成本。
NSR-SF120的設(shè)計方式類似于掃描型KrF步進(jìn)器NSR-S204B、NSR-S205C和NSR-S206D，以及ArF步進(jìn)器NSR-S305B和NSR-S306C。新開發(fā)的高數(shù)值孔徑鏡頭使i-line分辨率飛躍至280 nm。該系統(tǒng)可以有效地暴露次臨界層以支持130-100 nm設(shè)備節(jié)點，同時為300 mm時代提供高吞吐量。
團(tuán)隊介紹
ASML和NIKON光刻機(jī)的翻新改造、安裝調(diào)試及維護(hù)的核心技術(shù)能力。國內(nèi)完成過ArF, KrF, I Line, G Line全部光刻機(jī)工程案例的團(tuán)隊。
針對12英寸及以下的不同尺寸（包括硅、碳化硅、氮化鎵、 藍(lán)寶石等）、不同掩模版尺寸的要求，可實現(xiàn)自主設(shè)計、 加工制造、集成調(diào)整的改造能力。
能夠進(jìn)行包括光學(xué)系統(tǒng)在內(nèi)的全面翻新、調(diào)試、測試， 具備完整的運行保障能力，和備品備件的供應(yīng)。
針對不同產(chǎn)品（如MEMS、MICROLED、DMOS、CMOS 等），具備的工藝人才和技術(shù)基礎(chǔ)，能夠針對不同的 產(chǎn)品特性進(jìn)行設(shè)備選型、技術(shù)匹配及工藝試驗。
技術(shù)參數(shù)表
| 驗收項目 | 機(jī)型指標(biāo) | 條件 |
| ☆最小解析線寬 | 0.30um | 5pts V/H , resist thickness <1.0um |
| ☆最小解析線寬UDOF UDOF | 0.5um | 5poits 0.35um L&S V/H full field guarantee |
| ☆CD均勻性 | ≤50nm | 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um |
| Focus calibration repeatability | 3sig≤60nm | 20 times measurement |
| ☆鏡頭畸變 | within ±25nm | 37 pionts measurement |
| maximum area | 25mm*33mm | |
| reticle blind setting accuracy | 0.4mm to 0.8mm | |
| Exposure power | ≥1200mw/cm2 | |
| Intergrated exposure control | within ±1% | Input time:100,200,400,800msec |
| ☆光強(qiáng)均勻性Illumination uniformity | within 1.5% | 5 times measurement |
| Reticle rotation (1) absolute value (2) repeatability | within 20nm | With slow mode |
| ☆對準(zhǔn)精度 Overlay accuracy (1)lsa-ega (2)fia-ega | (1) 3sig ≤ 40nm (2) 3sig ≤ 40nm | Overly of resist images (1) lsa-ega 10piont shot center (2) fia-ega 10piont shot center |
| Array Orthogonality | within ±0.1sec | Average of 3 wafers |
| ☆工作臺步進(jìn)精度Stepping precision | 3sig≤25nm | Measured on 3 wafers |
| operational test (1)wafer system (2)reticle system | (1) success rate 99% (2) success rate 99% | (1)100 wafers 2nd exposure (2)3 times for every slot |
| Wafer pre-alignment | 6inch:3sig≤15um | 100times measurement Y,X,T |
| Focus stability | MAX-MIN≤0.6um | Continue 1week(5days) |
| magnification error | within 15nm | Make judgment from 3points |
| ☆Throughout （1）lsa-ega （2）fia-ega | （>72pcs/hr） | 32shots(150mm,25pcs);130msec (1) lsa-ega 10 points (2) fia-ega 10 points |
| ☆像面傾斜度INC | <0.25um | 5 POINT V/H |
| Astigmatism total focus deviation 0.35um L&S | ≤0.2um | 5points V/H: 0.35um L&S film thickness<1um |
| Field Curvature | ≤0.25um | 5 points V/H |
| ☆特殊照明方式RET | 具備 | 具備Annual/Shrinc照明方式 |
| Chip leveling accuracy | within ±1.5sec | 5 times measurement |
| Chuck Flatness | Max-Min≤2.5um | SEMI STD silicon wafer |
| Chuck TTV | TTV within 1um | Chuck specification report |
