IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀認準武漢生產廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀簡介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

產品特點

• 高電壓：支持高達3KV高電壓測試；

• 大電流：支持高達4KA大電流測試；

• 高精度：支持uΩ級電阻、pA電流、uV級精準測量；

• 豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；

• 配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；

• 數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；

• 模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；

• 可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；

• 可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

   

  技術指標