關(guān)鍵詞：金屬膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化學(xué)束外延、CVD、激光輔助
GSMBE、MOMBE、半導(dǎo)體膜、氧化膜、III-V族、 氣源分子束外延
InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP
化學(xué)束外延生長(zhǎng)法（Chemical Beam Epitaxy）是在分子束外延（MBE）和化學(xué)氣相沉積(CVD)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，通常用激光輔助化學(xué)束沉積方法可以制備各種半導(dǎo)體膜材、氧化物膜材。
化學(xué)束外延生長(zhǎng)系統(tǒng)
化學(xué)束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化學(xué)氣相沉積(CVD)優(yōu)點(diǎn)，可以用來(lái)生長(zhǎng)III-V族半導(dǎo)體薄膜，也可以用來(lái)沉積Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超導(dǎo)氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已經(jīng)顯示出非常顯著的*性，例如：
• 可控沉積和多元（3-5元、6元）摻雜、例如沉積GaAsInP；成分和厚度均勻性高（2% @直徑300mm，無(wú)襯底旋轉(zhuǎn)）；
• 樣品生長(zhǎng)速率范圍大（10 nm/h至10μm/h）；前驅(qū)體轉(zhuǎn)換率*；襯底尺寸靈活：直徑100 - 300mm或更大尺寸襯底；
• 按照設(shè)定模型，可一次性在一個(gè)襯底上生長(zhǎng)高匹配的成分梯度或厚度梯度樣品，以研究成分和厚度對(duì)薄膜性能的影響
• 準(zhǔn)分子激光束/離子束/電子束輔助沉積3D復(fù)雜結(jié)構(gòu)，在亞微米尺度上研究結(jié)構(gòu)、形狀和尺寸對(duì)納米結(jié)構(gòu)性能的影響；
• 獲得多個(gè)歐盟項(xiàng)目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM；多種薄膜已經(jīng)商業(yè)化：TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2等；
設(shè)備配置：
1. 熱漆外框架容納所有元件，標(biāo)準(zhǔn)RAL7035顏色；
2. 專有熱源技術(shù)可達(dá)200℃，支持多大6種前驅(qū)體；
3. 主要反應(yīng)沉積腔體采用可調(diào)熱內(nèi)壁，圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺(tái)。遠(yuǎn)程控制，電腦監(jiān)控各種參數(shù)；
4. 輻射加熱襯底溫度可達(dá)700℃，其他加熱器支持襯底溫度達(dá)1400℃；
5. 真空系統(tǒng)采用250l/s分子泵+10m3/h干泵；
6. 全自動(dòng)Load-lock，等離子體清洗可選。
7. 生長(zhǎng)過(guò)程中激光/電子/離子束輻照單元。
8. 可逆組裝：(無(wú)襯底旋轉(zhuǎn))均勻性可達(dá)±2%, (有襯底旋轉(zhuǎn))均勻性可達(dá)+/-0.5%；
或組合配置用以生長(zhǎng)梯度樣品：厚度梯度支持1個(gè)前驅(qū)體，化學(xué)成分梯度支持2-6個(gè)。
兩種方式可以通過(guò)程序控制可切換。
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