現(xiàn)在，大多數(shù)的材料都是多層結(jié)構(gòu)，比如太陽能光伏電池、LED、硬盤、鋰電池電極、鍍層玻璃等。它們表面經(jīng)過特殊處理或采用了鍍層來改善材料性能，如提高耐腐蝕能力。

脈沖式射頻輝光放電光譜儀是一款用于鍍層材料研究、過程加工和控制的理想分析工具。它可對薄/厚膜、導體/非導體進行超快速元素深度剖析，并且對所有的元素都有高的靈敏度。

顧名思義，該技術結(jié)合了脈沖式射頻供電的輝光放電源和高靈敏度的發(fā)射光譜儀。前者具有高深度分辨率，可對樣品分析區(qū)域進行一層層剝蝕；后者可助您實時監(jiān)測所有感興趣的元素。

GD-Profiler 2的射頻輝光放電光源設計，使其既可以測試導體、非導體及導體/非導體相間的鍍層樣品；既可以實現(xiàn)表面、深度剖析，也可實現(xiàn)基體成分分析。

國際認可技術

輝光放電光譜技術在材料科學領域展現(xiàn)了強大的活力，如ISO/TC 201已為表面分析發(fā)布3個GDS國際標準；市面上已出版了5本相關參考書，并且每年發(fā)表60篇以上含有GDS數(shù)據(jù)的科技論文。

快速、高深度分辨率

脈沖式射頻輝光放電光譜儀典型的剝蝕速率為微米/分鐘（即：2-10nm/s），可快速測試多個樣本，反饋及時。該特點使其可用于優(yōu)化和控制蒸發(fā)的每個階段（沉積或退火過程），并快速應對任何觀察到的變化。的脈沖式射頻輝光源和超快速檢測能力的光學系統(tǒng)，使脈沖式射頻輝光放電光譜儀具有了納米級甚至亞納米級的深度分辨率。

適用于所有元素

高靈敏度和超快速光學檢測系統(tǒng)使其可以同時檢測所有感興趣元素的深度分布；發(fā)射譜線范圍從VUV（H和同位素D的譜線在120nm附近，O在130nm等）到IR的鋰（670nm）和鉀（766nm）。

薄/厚膜的定量深度剖析

表面靈敏技術（XPS或SIMS）分析速度很慢并且僅能分析1微米以內(nèi)的鍍層。對于較厚的鍍層，雖然可以使用SEM EDX測試橫截面，但需要繁復的樣品制備而且不能測試輕元素。脈沖式射頻輝光放電光譜可快速濺射十幾微米以測試所有元素，薄/厚膜均適用。

具備性能的脈沖式射頻源結(jié)合發(fā)射光譜儀可使基體效應最小化。通過標準曲線，可將測試所得的定性曲線（強度vs.時間）轉(zhuǎn)化為定量深度曲線（濃度vs.深度）非常方便。

    特點：

● 分析時間短，比需要超高真空環(huán)境的經(jīng)典表面分析技術快1000倍。

● 非導體非常容易分析，無表面電荷效應。

● 同時測定所有元素，包括H、C、N、O、F、Li等。

● 納米級深度分辨率。

● GDS可與那些提供成像、橫向分辨率或分子信息的技術互補分析。

     標準配置：

激發(fā)源：頻率為13.56MHz的射頻水冷式固態(tài)發(fā)生器，可以在RF、脈沖RF或是VDC下運行

功率：150W

光譜范圍：120nm ~ 800nm

光譜儀恒溫系統(tǒng)：（31±0.1℃）；焦長0.5m；2400gr/mm光柵

光譜分辨率：18pm~25pm

深度分辨率：1nm

元素通道：47個

檢測器線性動態(tài)范圍：5×109

真空泵真空度可達：5×10E-4

軟件：Quantum

計算機：Windows 7, Dell 1070 MT （根據(jù)計算機水平更新）

     可選配置：

單色儀：焦長0.64m；2400gr/mm（160nm~800nm）或3600gr/mm（160nm~560nm）

平場多色儀：焦長0.2m；1200gr/mm光柵

銅陽極：標準直徑為4mm；1mm、2mm、7mm和8mm可選

DIP深度測試：附件適用于鏡面平整的樣品

     設備需求：

尺寸：150 X 86 X 125 cm（長 X 寬 X 高）

重量：350 Kg

電源：230V +/-10%的單相電，頻率為50/60Hz

環(huán)境：濕度：20~80%； 溫度：18~24℃（±2℃）

氬氣（等離子體）：純度>99.999%，壓力4 bar

氮氣（吹掃光譜室）：純度>99.995%，流速3L/min

壓縮空氣壓力：6 bar