PhysTech在1990年推出了臺(tái)數(shù)字DLTS，隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜計(jì)算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過(guò)程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學(xué)模型分析測(cè)量到的瞬態(tài)過(guò)程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號(hào)重疊法、溫度掃描信號(hào)重疊法（重折疊）。與其他系統(tǒng)相比，HERA-DLTS具有的能量分辨率。
半導(dǎo)體的摻雜濃度、缺陷能級(jí)位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導(dǎo)體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測(cè)靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。
特點(diǎn)：
操作模式：
規(guī)格：
| 分辨率： | 1*108 atoms/cm3 |
| 脈沖發(fā)生器 | |
| 電壓范圍： | ±20.4V（±102opt.） |
| 電壓分辨率: | 0．625mV |
| 電流: | ＞±15mA |
| 脈沖寬度: | 1μs-1000s |
| 快速脈沖選配 | |
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| 電容表 | |
| HF信號(hào): | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范圍[pF]: | 3,30,300,3000(自動(dòng)或手動(dòng)) |
| 電容補(bǔ)償: | 0.1-3000 pF（自動(dòng)或手動(dòng)） |
| 靈敏度: | 0.01 fF |
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| 電壓測(cè)量 | |
| 范圍: | ±10V |
| 靈敏度: | ＜1μV |
| 輸入電阻: | 106Ohm |
| 可提供偏壓補(bǔ)償: | |
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| 電流測(cè)試 | |
| 范圍: | 5，從±1μA 到±10mA |
| 靈敏度: | ＜1pA |
| 可提供漏電保護(hù) | |
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| 瞬態(tài)記錄 | |
| 樣品速率: | 2μs到2000s |
| 樣品數(shù)量: | 16-16384（opt.64k） |
| 可調(diào)節(jié)抗失真濾膜 | |
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| 標(biāo)準(zhǔn)冷卻倉(cāng) | |
| 溫度范圍: | 15K-450K或77K~800K |
| 溫度掃描方式： | 使用28個(gè)不同的相關(guān)功能（軟件）通過(guò)一次溫度掃描，給出28個(gè)溫度掃描信號(hào)。 |
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| 典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 靈敏度: | 10-7 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 發(fā)射率: | 10-3/s |
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