X射線探測(cè)器系列化

線性探測(cè)器
　　正比探測(cè)器、閃爍探測(cè)器
　　使用時(shí)需要配置單色器，有效去掉Kβ線。
　　線性計(jì)數(shù)：≥5×10⁵CPS
　　能譜分辨率：正比≤25%、閃爍≤50%。

SDD硅漂移探測(cè)器
　　使用時(shí)不需要配置單色器，線性計(jì)數(shù)：≥1.5×10⁵CPS、能譜分辨率≤200eV，較線性探測(cè)器，樣品測(cè)量速度提高4倍以上，可實(shí)現(xiàn)高分辨率X射線衍射測(cè)量。

高速一維陣列探測(cè)器
　　由640個(gè)探測(cè)器組成的一維半導(dǎo)體陳列探測(cè)器，相比傳統(tǒng)的閃爍或正比探測(cè)器可以提高衍射強(qiáng)度120倍以上，在較短時(shí)間內(nèi)，獲取高靈敏度、高分辨率完整的衍射譜圖，并且還有非常好的去熒光能力，即使是測(cè)量強(qiáng)熒光的樣品，一維半導(dǎo)體陳列探測(cè)器提供的數(shù)據(jù)也展示出非常好的信噪比。
　　線性計(jì)數(shù)：≥9×10⁹CPS，能譜分辨率：≤25%；有高計(jì)數(shù)模式及去除熒光背景兩種工作模式。

半導(dǎo)體線陣探測(cè)器

探測(cè)器型號(hào)是： MiniPIX 60K 由捷克航空實(shí)驗(yàn)室制作，有效面積14×14mm、像素尺寸55µm、像素?cái)?shù)量256×256、每個(gè)像素計(jì)數(shù)率大于3×10⁶cps。樣品測(cè)量速度較常規(guī)的正比探測(cè)器+單色器提高35倍以上。

半導(dǎo)體陣列探測(cè)器Si樣品衍射譜圖