Optodiode脈沖型紅外發(fā)射二極管，脈沖型，準黑體
Opto Diode生產(chǎn)五個系列的紅外發(fā)射二極管，用于各種醫(yī)療和工業(yè)領域，包括氣體分析、環(huán)境監(jiān)測、光譜學和過程控制。從穩(wěn)態(tài)（直流電）發(fā)射器（SA系列）到大功率穩(wěn)態(tài)發(fā)射器（SHA系列），再到黑體輻射脈沖光源（SVF系列）和黑體輻射快速脈沖光源（SPF系列），到帶有集成驅動電子元件的高速紅外發(fā)射器（PIREPLUS）。本篇會對SVF系列脈沖型紅外發(fā)射源，紅外激光二極管進行簡要說明。
脈沖型紅外發(fā)射器SVF系列
標準的脈沖型SVF系列紅外發(fā)射器被用來作為黑體輻射的脈沖光源。薄金屬箔片采用TO5和TO8封裝，窗口材料選用藍寶石或者氟化鈣，發(fā)射率典型值0.88。
| 模型型號 | 零件型號 | 描述 | 窗口材質 | 輻射率 |
| SVF230-5M2 | 40103 | TO5封裝的標準的脈沖發(fā)射源230 | 藍寶石 | 0.88 |
| SVF230-5M3 | 40104 | TO5封裝的標準的脈沖發(fā)射源230 | 氟化鈣 | 0.88 |
| SVF350-5M2 | 40106 | TO5封裝的標準的脈沖發(fā)射源350 | 藍寶石 | 0.88 |
| SVF350-5M3 | 40107 | TO5封裝的標準的脈沖發(fā)射源350 | 氟化鈣 | 0.88 |
| SVF350-8M3 | 40172 | TO8封裝的標準的脈沖發(fā)射源350 | 氟化鈣 | 0.88 |
| SVF360-8M2 | 40432 | TO8封裝的標準的脈沖發(fā)射源360 | 藍寶石 | 0.88 |
| SVF360-8M3 | 40110 | TO8封裝的標準的脈沖發(fā)射源360 | 氟化鈣 | 0.88 |
SVF系列脈沖型紅外發(fā)射源關鍵特點
-黑體輻射的脈沖型發(fā)射源
-在光譜范圍內可近似看作準黑體
-超薄的金屬箔片作為激勵元件
-利用拋物面反射鏡得到均勻且準直的出射光
-發(fā)射率典型值0.88
脈沖型紅外發(fā)射器-SVF系列
Opto Diode公司的SVF系列紅外發(fā)射源被設計成作為黑體輻射的脈沖發(fā)射源。脈沖輻射源的輻射元件是一個超薄的特別配置的金屬箔片，這種設置的目的是使被加熱的箔片兩側發(fā)出的輻射都能高效地沿光軸從封裝里發(fā)出。用作箔片的材料地發(fā)射率典型值為0.88，在光譜分布中可以近似看作一個黑體。SVF系列發(fā)射源工作時的箔片的額定溫度為1000K。標準的SVF系列發(fā)射源可以提供多種厚度和寬度的箔片選擇，配置TO5或TO8的封裝。提供幾種標準窗口材料的選擇，可根據(jù)特定波長范圍定制輸出。SVF系列發(fā)射源提供了多種反射面選擇。比如積分反射器。標準的拋物面反射器可以得到近似準直和均勻的輸出，各種不同焦距的橢圓反射器也可用于光纖耦合或用在其他應用中。
脈沖型紅外發(fā)射器-SVF系列驅動電路
開關元件例如IRF350，是一個400V的單N溝道場效應管，具有非常低的導通電阻以及高跨導，優(yōu)秀的反向能量與合適的半導體反向恢復電壓變化速率。
脈沖型紅外發(fā)射器-SVF系列壽命
所有標準的發(fā)射源在額定功率輸入下都具有超過30000小時平均初次出故障時間。在超過額定功率輸入下工作會明顯降低使用壽命。
功率密度沿角度的分布曲線
功率密度隨輻射偏移角度的變化曲線，0°是中心軸線方向，此處功率密度達到值；隨偏離角度增大，功率密度也隨之逐漸降低。
功率密度沿軸向分布曲線
功率密度沿軸向傳播，隨距離變化關系，傳播距離越遠，功率密度越小。
SVF系列TO8封裝
伏安特性曲線
如圖所示是伏安特性曲線。額定功率工作時的溫度為1000K，超過這個值就會導致溫度升高，減少元件使用壽命
黑體輻射率曲線
SVF系列發(fā)射器在特定工作溫度下近似于黑體源。如圖顯示不同溫度下理想黑體功率密度曲線的參考圖，溫度單位為K。
SVF系列TO5封裝
伏安特性曲線
如圖所示是伏安特性曲線。額定功率工作時的溫度為1000K，超過這個值就會導致溫度升高，使用壽命降低。
調制深度與頻率曲線
調制深度與頻率關系
功率密度沿角度的分布曲線
功率密度隨輻射偏移角度的變化曲線，0°是中心軸線方向，此處功率密度達到值；隨偏離角度增大，功率密度也隨之逐漸降低。
功率密度沿軸向分布曲線
功率密度沿軸向傳播，隨距離變化關系，傳播距離越遠，功率密度越小。
窗口材料傳輸光譜
