AXUV100TF030光敏二極管，薄膜沉積工藝
集成薄膜濾光片的光電二極管存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?span>-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。
OptoDiode生產(chǎn)集成薄膜濾光片，用于檢測(cè)太陽EUV輻射、軟X射線輻射測(cè)量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜。美國(guó)OptoDiode還生產(chǎn)光學(xué)濾光片窗口、日光濾光片和多波長(zhǎng)封裝組件。
OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管檢測(cè)范圍是1-80nm，有效面積是100mm2，發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩，可以避免元件受損。美國(guó)集成薄膜濾光片的光電二極管用于電子檢測(cè)，電壓直流反向值10伏，靈敏度0.09-0.15A/W，波長(zhǎng)范圍是3-40nm。OptoDiode濾光片光電二極管采用薄膜沉積工藝。
OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管的型號(hào)
| 型號(hào) | 零件編號(hào) | 描述 | 有效面積mm2 | 響應(yīng)率（A/W） | 波長(zhǎng)（nm） | 檢測(cè)范圍（nm） |
| AXUV100TF030 | ODD-AXU-019 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.16 | 3 | 1-12 |
| AXUV100TF400 | ODD-AXU-002 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.15 | 40 | 18-80 |
| SXUV100TF135 | ODD-SXU-013 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.09 | 13.5 | 12-18 |
AXUV100TF400光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 波長(zhǎng)40納米靈敏度為0.15 A/W
- 檢測(cè)范圍：18納米至80納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
AXUV100TF400光敏二極管10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在40nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.15A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為20歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是10nF,值是44nF。
AXUV100TF030光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 3納米處的靈敏度為0.16 A/W
- 檢測(cè)范圍：1納米至12納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
AXUV100TF030光敏二極管在25°C時(shí)的電光特性如下。 在10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在3nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.16A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為20歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是10nF,值是44nF。
從典型的靈敏度圖可以看到從波長(zhǎng)5nm開始靈敏度隨著波長(zhǎng)的增加而減小。
SXUV100TF135光敏二極管的特點(diǎn)
- 100平方毫米的有效面積
- 在13.5納米處?kù)`敏度為0.09 A/W
- 探測(cè)范圍12納米至18納米
- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩
SXUV100TF135光敏二極管在10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在13.5nm波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.08A/W，典型值是0.09A/W，值0.1A/W。當(dāng)VR=15V時(shí)，暗電流典型值是8nA，值是25nA。當(dāng)IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是25V。VR=0V時(shí)，電容的最小值是0.8nF，典型值是1nF，值是1.2nF。VR=12V時(shí)，電容的最小值是220pF，典型值是260pF，值是350pF。當(dāng)RL=50Ω, VR=12V時(shí)，上升時(shí)間的典型值是30納秒。從波長(zhǎng)與靈敏度的關(guān)系圖中可以看到在集成濾光片在13.5nm波長(zhǎng)后靈敏度的值是下降的。
