AXUV16ELG光電二極管陣列，Opto Diod光電探測器陣列

Opto Diode提供標準和定制配置的多元素或陣列探測器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點

Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測的理想選擇。有保護性蓋板，以保護光電二極管陣列和導線連接。Opto Diode光電探測器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進行響應，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。

光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個元素的陣列。光電二極管陣列儲存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮氣和真空下溫度是-20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會在有源區(qū)產生氧化物生長。隨著時間的推移，對低能量輻射和150納米以下波長的響應性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續(xù)10秒。發(fā)貨時帶有臨時蓋子，以保護Opto Diode光電探測器陣列和導線連接。在拆除蓋子之前，請查看應用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測器的處理注意事項"。

Opto Diode光電二極管陣列型號

AXUV16ELG光電二極管陣列的特點

- 40針雙列式封裝

- 是電子檢測的理想選擇

- 保護性蓋板

在25°C時的電光特性

AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時，電容的典型值是700pF,值是2000Pf。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。

AXUV20ELG光電探測器陣列的特點

- 22針雙列式封裝

- 是電子檢測的理想選擇

- 保護性蓋板3    

AXUV20ELG光電探測器陣列在0.75mmx4.1mm的測試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時，電容,值是1nF。VR=0V測試條件下，上升時間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測試條件下時，每個元件的分流電阻值是100歐姆。