測量技術:可調(diào)諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)技術
紫外差分吸收光譜 (DOAS)技術+氧化鋯
量程范圍:NH3:0~10~1000ppm
NO:0~50~5000ppm
O2:0~25%
線性誤差:≤±1%F.S.
重復性:≤1%
響應時間:<90s(T90)
零點漂移:≤±1%F.S./半年
量程漂移:≤±1%F.S./半年
模擬量輸出:5路4-20mA輸出
模擬量輸入:3路4-20mA輸入
數(shù)字通訊:RS485/RS232/GPRS
檢測下限:0.1ppm(10m光程)
吹掃氣源:(0.4~0.8)MPa氮氣、凈化儀表空氣