一、產(chǎn)品簡介
有圖晶圓關(guān)鍵尺寸及套刻量測系統(tǒng)是一款集成高精度平面尺寸檢測和亞納米級表面3D形貌測量的光學(xué)檢測儀器，同時滿足大范圍多區(qū)域的高精度全自動檢測，優(yōu)異的重復(fù)性及效率有效減少人為誤差及人員投入。
它采用高分辨率光學(xué)鏡頭，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入一鍵閃測原理，CNC模式下，只需按下啟動鍵，儀器即可根據(jù)工件的形狀自動定位測量對象、匹配模板、測量評價、報表生成，真正實現(xiàn)一鍵式快速精準(zhǔn)測量。
同時具備白光干涉掃描系統(tǒng)，3D 建模算法等對器件表面進行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，能夠?qū)π酒琙向?qū)崿F(xiàn)微納尺度的3D掃描和重建，精確測量表面的高度輪廓尺寸；全自動上下料平臺，配置掃描槍，高效實現(xiàn)產(chǎn)線全自動化生產(chǎn)。
全自動晶圓檢測機可廣泛應(yīng)用于芯片、半導(dǎo)體制造及封裝工藝檢測、精密配件、光學(xué)加工、微納材料及制造、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
二、產(chǎn)品特點
自動上下料&生產(chǎn):
1、配置自動上下料平臺;
2、配置高精度上下料方式，實現(xiàn)產(chǎn)線高自動化程度;
針對產(chǎn)線開發(fā)，方便管理:
1、可設(shè)定三種權(quán)限模式:Operater、Engineer、Administrator便于管理操作;
2、可與客戶生產(chǎn)數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)連接，便于數(shù)據(jù)的管理分析；
3、測量現(xiàn)場立即評價測量尺寸偏差，一鍵生成統(tǒng)計分析、檢測結(jié)果報告等;
功能豐富，自動報表:
1、軟件分為兩大部分，其中平面輪廓尺寸的影像測量方式分為測量設(shè)定、單件測量、CNC測量、自動測量、統(tǒng)計分析五大功能模塊，而3D輪廓尺寸的白光干涉成像方式分為測量設(shè)定、數(shù)據(jù)處理和分析工具等三個步驟，其中可預(yù)配置數(shù)據(jù)處理和分析工具，實現(xiàn)一鍵測量與分析。
2、平面輪廓尺寸影像測量模塊提供多達80種提取分析工具、包括【特征提取】工具(如最值點、中心線圓弧、峰值圓等)，【輔助工具】(如任意點線圓、擬合直線、擬合圓、切線、內(nèi)切圓等)，【智能標(biāo)注】工具，【形位公差】工具，特殊【應(yīng)用工具】(如倒角、圓角、節(jié)距距離、節(jié)距角度、圓徑十字、槽孔、螺紋、彈簧、密封圈等);而3D測量模塊提供粗糙度、臺階高、距離測量、孔洞體積等2D/3D分析工具。
3、自動輸出SPC分析報告，可輸出統(tǒng)計值(如CA、PPK、CPK、PP等)及控制圖(如均值與極差圖、均值與標(biāo)準(zhǔn)差圖、中位數(shù)與極差圖、單值與移動極差圖)。
三、應(yīng)用場景
有圖晶圓套刻偏移量測量
 |  |
| 在晶圓制造時，黃光站將Wafer光刻、曝光顯影后會進行套刻的偏移量測量，將測量的數(shù)據(jù)反向?qū)胙a償至光刻機內(nèi)，優(yōu)化晶圓光刻工藝穩(wěn)定性以達到客戶對產(chǎn)品的需求。 | |
有圖晶圓關(guān)鍵尺寸測量
 |  |
| 在Wafer制造時，多道工序會對Die的關(guān)鍵外形尺寸進行把控,SuperView軟件自動捕捉Die特征邊緣,同時進行高效精準(zhǔn)測量,幫助客戶在更短的時間內(nèi),達到更高的良率,維持良率的穩(wěn)定性。 | |
有圖晶圓3D尺寸測量
 |  |
| Wafer制造時,前道黃光工序后需要測量芯粒下底槽間的寬度來確定各芯粒間的偏移量是否合格,自動選取多條拋線得到穩(wěn)定平均值，從而調(diào)整曝光機參數(shù)以達到工藝要求。 | |
有圖晶圓輪廓分析及蝕刻深度測量
 |  |
| 重建晶圓的局部3D圖像，根據(jù)提供的線寬尺寸和刻蝕深度，提取刻線的剖面輪廓進行分析，可判斷線槽輪廓的完整性和進行底部缺陷的觀察。 | |
有圖晶圓切割后槽深槽寬測量
 |  |
| 在劃片工藝的鐳射工序后,進行鐳射U型槽的槽深度和寬度檢測,可自定義剖面寬度取剖面輪廓的均值曲線,求取槽深寬的平均值,根據(jù)測出的槽深和槽寬,調(diào)整鐳射機的參數(shù)以便符合工藝要求。 | |
