品牌: 華科智源
名稱: SIC動態(tài)參數(shù)測試儀
型號: HUSTEC-3000
用途: SIC器件,MOS管, IGBT測試
產(chǎn)品詳情
功能及主要參數(shù):
適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測試。
主要技術(shù)參數(shù):
IGBT開關(guān)特性測試
開關(guān)時(shí)間測試條件
Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
負(fù) 載:感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
IGBT開關(guān)特性測試參數(shù)
開通延遲td(on): 20nS -10uS
上升時(shí)間tr: 20nS -10uS
開通能量Eon: 0.1-1000mJ
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):20 nS -10uS
下降時(shí)間 tf: 20nS -10uS
關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
二極管反向恢復(fù)特性測試
FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負(fù)載:感性負(fù)載可選
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD測試參數(shù)
反向恢復(fù)時(shí)間trr:20nS -2uS
反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;
反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A
反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢
國內(nèi)少有能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測試的設(shè)備。