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  • SIC碳化硅測試儀

SIC碳化硅測試儀

參考價(jià)訂貨量

1

≥1臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時(shí)間2023-06-29
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限1
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量52
  • 人氣值368
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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;

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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制
SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀
功能及主要參數(shù):
適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測試。
SIC碳化硅測試儀 產(chǎn)品詳情



品牌: 華科智源

名稱: SIC動態(tài)參數(shù)測試儀

型號: HUSTEC-3000

用途: SIC器件,MOS管, IGBT測試


產(chǎn)品詳情

功能及主要參數(shù):

  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測試。

  主要技術(shù)參數(shù):

  IGBT開關(guān)特性測試

  開關(guān)時(shí)間測試條件

  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V

  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)

  負(fù)  載:感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換

  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH

  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R

  IGBT開關(guān)特性測試參數(shù)

  開通延遲td(on): 20nS -10uS    

  上升時(shí)間tr:    20nS -10uS

  開通能量Eon:  0.1-1000mJ                

  關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):20 nS -10uS  

  下降時(shí)間 tf: 20nS -10uS                  

  關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ

  二極管反向恢復(fù)特性測試

  FRD測試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負(fù)載:感性負(fù)載可選

  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH

  FRD測試參數(shù)

  反向恢復(fù)時(shí)間trr:20nS -2uS

  反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;

  反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A

  反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ

產(chǎn)品優(yōu)勢

  國內(nèi)少有能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測試的設(shè)備。



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