技術(shù)指標(biāo)：

1. 分辨率

二次電子 (SE) 成像：

分辨率：1.0nm@30kV，分辨率：3.0nm@1kV

背散射電子（BSE）成像：分辨率：2.5nm@20kv 

2. 放大倍數(shù)

15 x -800,000 x，實(shí)時(shí)顯示屏幕放大倍數(shù) 

3. 加速電壓

0～30kV 

4. 電子槍

Schottky肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍；

自動(dòng)調(diào)整功能：聚焦、亮度/對(duì)比度、消像散、動(dòng)態(tài)聚焦、電子束對(duì)中等。 

5. 鏡筒

高性能透鏡系統(tǒng)

物鏡光闌：三個(gè)可在真空外調(diào)節(jié)，無(wú)需拆卸鏡筒即可更換物鏡光闌

6. 真空系統(tǒng)

2個(gè)離子泵，1個(gè)渦輪分子泵，1個(gè)機(jī)械泵；樣品室真空優(yōu)于6×10^-4 Pa ，槍真空優(yōu)于1×10^-6Pa。全自動(dòng)真空控制，具有真空互鎖功能。 

7. 探測(cè)器

高真空二次電子探測(cè)器。

背散射電子探測(cè)器

紅外CCD檢測(cè)器

8. 自動(dòng)樣品臺(tái)

五軸全自動(dòng)預(yù)對(duì)中樣品臺(tái)，重復(fù)定位精度2μm。

行程：X≤ 75mm，Y≤ 75mm，Z≤ 60mm

旋轉(zhuǎn)：360°連續(xù)

傾斜： -5°～+75°

• 更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)致電咨詢！