SMD1003一氧化碳?xì)怏w傳感器是基于特定半導(dǎo)體氣敏材料開(kāi)發(fā)的MEMS微型氣體傳感器，可用于檢測(cè)不同場(chǎng)景下的一氧化碳?xì)怏w含量，同時(shí)可以抵抗酒精等常見(jiàn)有機(jī)氣體的干擾。
本品采用MEMS工藝，結(jié)構(gòu)堅(jiān)固，對(duì)一氧化碳靈敏度高；具有尺寸小、功耗低、靈敏度高、響應(yīng)恢復(fù) 快、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào) SMD1003 產(chǎn)品類(lèi)型 MEMS半導(dǎo)體傳感器 標(biāo)準(zhǔn)封裝 陶瓷封裝 檢測(cè)氣體 一氧化碳 檢測(cè)濃度 0～500ppm(一氧化碳、人工煤氣) 分辨率 10ppm 工作溫度 -20-55℃ 工作濕度 10-95%RH 標(biāo)準(zhǔn)電路條件 回路電壓 VC MCU的I/O來(lái)輸出高電平5V或者3.3V 加熱電壓 VH+ 3.3V±0.1V AC / DC 負(fù)載電阻 RL 可調(diào)（以出貨報(bào)告為準(zhǔn)） 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下氣敏元件特性 加熱電阻 RH 310Ω±20Ω（室溫） 加熱功耗 PH ≤30mW 敏感體電阻 R0 10kΩ～500KΩ(in air) 靈敏度 S R0(in air)/Rs(in 100ppmCO)≥5 斜率 α ≤0.5(R300ppm/R50ppm（CO） 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件 溫度、濕度 25℃±2℃；55%±5%RH 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路 Vcc：5V或者3.3V VH : 3.3V±0.1V 預(yù)熱時(shí)間 5min 響應(yīng)時(shí)間（T90） <30s 恢復(fù)時(shí)間（T10） <60s 壽命 ≥3年
模組尺寸：
管腳定義
| Terminal Functions | ||
| NO. | NAME | DESCRIPTION |
| 1 | HOT1+ | Heater1 |
| 2 | VCC | Sensor electrode |
| 3 | HOT2+ | / |
| 4 | NG | / |
| 5 | NG | / |
| 6 | Vout2 | / |
| 7 | HOT | Heater2 |
| 8 | Vout1 | Sensor electrode |
特性曲線(xiàn)：
注：圖中所有測(cè)試均在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下完成，Ro表示傳感器在潔凈空氣中的穩(wěn)定電阻，Rs表示傳感器在一定濃度的氣體氛圍中的穩(wěn)定電阻值，橫坐標(biāo)為持續(xù)通電的老化時(shí)間，縱坐標(biāo)為傳感器的實(shí)際電阻值
傳感器靈敏度特性曲線(xiàn) 傳感器響應(yīng)恢復(fù)曲線(xiàn) 傳感器溫度校準(zhǔn)曲線(xiàn) 傳感器長(zhǎng)期穩(wěn)定性曲線(xiàn)
1.1 暴露于可揮發(fā)性硅化合物蒸氣中
傳感器要避免暴露于硅粘接劑、發(fā)膠、硅橡膠、膩?zhàn)踊蚱渌嬖诳蓳]發(fā)性硅化合物的場(chǎng)所。如果傳感器的表面吸附了硅化合物蒸氣，傳感器的敏感材料會(huì)被硅化合物分解形成的二氧化硅包裹，抑制傳感器的敏感性，并且不可恢復(fù)。
1.2 高腐蝕性的環(huán)境
傳感器暴露在高濃度的腐蝕性氣體（如 H2S，SOX，Cl2，HCl 等）中，不僅會(huì)引起加熱材料及傳感器引線(xiàn)的腐蝕或破壞，并會(huì)引起敏感材料性能發(fā)生不可逆的劣變。
1.3 堿、堿金屬鹽、鹵素的污染
傳感器被堿金屬尤其是鹽水噴霧污染后，或暴露在鹵素如氟利昂中，也會(huì)引起性能劣變。
1.4 接觸到水
濺上水或浸到水中會(huì)造成傳感器敏感特性下降。
1.5 結(jié)冰
水在傳感器敏感材料表面結(jié)冰會(huì)導(dǎo)致敏感層碎裂而喪失敏感特性。
1.6 施加電壓過(guò)高
如果給傳感器或加熱器施加的電壓高于規(guī)定值，即使傳感器沒(méi)有受到物理?yè)p壞或破壞，也會(huì)造成引線(xiàn)和/或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。
1.7 電壓加錯(cuò)管腳
如果給傳感器或加熱和信號(hào)管腳電壓加錯(cuò)，也會(huì)造成引線(xiàn)和/或加熱器損壞，并引起傳感器敏感特性下降。
