TZZN-1000磁控離子鍍膜儀 離子濺射儀
主要應(yīng)用：
適用于掃描電子顯微鏡樣品鍍覆導(dǎo)電膜（金膜、鉑金、銀、鎳、銅等），儀器操作簡(jiǎn)單方便，是配合各類型掃描電子顯微鏡制樣的儀器。是制備低維度，小尺寸納米材料器件實(shí)驗(yàn)手段，廣泛應(yīng)用于集成電路，光子晶體，低維半導(dǎo)體、微生物、超微膜材料等領(lǐng)域。
（參考外形，以實(shí)物為準(zhǔn)）
電子在電場(chǎng)的作用下，飛向基片過(guò)程中與氣體原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出氣體正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射。
主要應(yīng)用：
適用于掃描電子顯微鏡樣品鍍覆導(dǎo)電膜（金膜、鉑金、銀、鎳、銅等），儀器操作簡(jiǎn)單方便，是配合各類型掃描電子顯微鏡制樣的儀器。是制備低維度，小尺寸納米材料器件實(shí)驗(yàn)手段，廣泛應(yīng)用于集成電路，光子晶體，低維半導(dǎo)體、微生物、超微膜材料等領(lǐng)域。
配套世界主流掃描電子顯微鏡廠家：
熱電（美國(guó)原荷蘭）FEI鎢絲陰極、場(chǎng)發(fā)射、飛納臺(tái)式等各類型電子顯微鏡，蔡司（德國(guó)）鎢絲陰極、場(chǎng)發(fā)射各系列的掃描電子顯微鏡，JEOL（日本電子）各類電鏡，日立（日本）各系列電鏡、臺(tái)式電鏡，TESCAN泰斯肯（捷克）各系列電鏡，還有如韓國(guó)“賽科”、COXEM庫(kù)賽姆、MIRERO等電鏡品牌及所有需要樣品前期處理，提高成像質(zhì)量、增強(qiáng)導(dǎo)電性能等表面鍍膜處理的樣品制備工作。
低溫磁控型
1.顯示操作面為30°斜面，充分考慮操作的便捷和視覺(jué)體驗(yàn)，方便觀察操作；
2.真空泵連接管路為金屬波紋管，美觀耐用；
3.微調(diào)閥調(diào)節(jié)靈敏準(zhǔn)確，帶有刻度標(biāo)識(shí)；
4.真空泵抽速快，噪音低，適合實(shí)驗(yàn)室使用；
5.控制電路為控制板，工作穩(wěn)定可靠；
6.顯示控制操作部分布局合理，使用方便；
7.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，布局合理，維修操作空間大；
8.自動(dòng)真空的進(jìn)排氣，關(guān)機(jī)自動(dòng)放棄（標(biāo)準(zhǔn)版手動(dòng)放氣）
9.優(yōu)化機(jī)型外觀，整潔大方，體積靈巧；
10.數(shù)字方式定時(shí)，0-9999秒?yún)^(qū)間自主調(diào)節(jié)；
11.采用冷陰極磁控濺射靶頭；
12.升降式上翻蓋結(jié)構(gòu)，更換樣品方便快捷；
13.采用定制“凹”密封，更加方便操作；
14.增大樣品處理室空間，φ150X110高硬度耐高溫石英晶體；
15.定制型真空泵排氣過(guò)濾器；
16.獨(dú)立式升降樣品臺(tái)組件（標(biāo)準(zhǔn)為2支柱緊固型）；
u 石英處理室：
Φ150mm,高度110mm;
u 濺射類型：
冷陰極磁控型二級(jí)濺射；
u 樣臺(tái)尺寸：150mm,樣品臺(tái)插孔61個(gè)可選；
可升降和手動(dòng)旋轉(zhuǎn)
u 樣品更換：升降式上翻蓋結(jié)構(gòu)，上蓋打開(kāi)可獨(dú)立支撐
u 靶材尺寸：Φ50（可選配定制高效率靶材）;
u 真空系統(tǒng)：型德國(guó)進(jìn)口無(wú)油渦旋真空泵2L/S；
u 真空檢測(cè)：定制皮氏計(jì)，配合真空指針表，靈敏可靠；
u 真空保護(hù)：20Pa配有微量充氣閥調(diào)節(jié)工作真空；
u 真空泄壓：自動(dòng)進(jìn)排氣（無(wú)需手動(dòng)放氣閥）；
u 電路保護(hù)：過(guò)載保護(hù)；
u 工作室工作媒介氣體：空氣或氬氣，配有氬氣專用進(jìn)氣口；
涂層的厚度
一般來(lái)說(shuō)，用于掃描樣品時(shí)金屬的厚度為100—300 ?，經(jīng)驗(yàn)的厚度測(cè)定可由下面的公式得到：
d=KIVt
其中d是以“?！睘閱挝坏腻兡ず穸?。
K是常數(shù)，取決于濺射金屬和所充氣體，此時(shí)靶與樣品之間的距離大約是5cm。
I是等離子流的單位mA。
V是以“KV“為單位所施電壓（1.68KV）。
t是以秒為單位的時(shí)間。
采用金靶和氬氣時(shí)K為0.17，如用空氣K為 0.07。因此對(duì)于典型的濺射。
例如：I為8mA，t為100秒則，d=KIVt=0.17′8′100=136 ?
即每秒1.36 ?
濺射速度依賴于濺射系統(tǒng)本身的清潔程度，因此保護(hù)工作室的清潔十分重要。
