R&S SMU200A 信號發(fā)生器旨在滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)研發(fā)及其生產(chǎn)中遇到的所有要求。R&S SMU200A 矢量信號發(fā)生器不僅在一個只有四個高度單元的機(jī)柜中組合了多達(dá)兩個獨立的信號發(fā)生器，而且還提供了的射頻和基帶特性。
羅德與施瓦茨SMU200A 信號發(fā)生器
R&S SMU200A 信號發(fā)生器旨在滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)研發(fā)及其生產(chǎn)中遇到的所有要求。R&S SMU200A 矢量信號發(fā)生器不僅在一個只有四個高度單元的機(jī)柜中組合了多達(dá)兩個獨立的信號發(fā)生器，而且還提供了的射頻和基帶特性。
羅德與施瓦茨SMU200A 信號發(fā)生器
羅德與施瓦茨SMU200A 信號發(fā)生器
羅德與施瓦茨 SMU200A 可配備多種選件，例如，適用于當(dāng)今所有重要數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)的選件以及 MIMO 衰落或相位相干等功能和性能增強(qiáng)功能。
R&S SMU200A 可在一個機(jī)柜中配置為兩個信號發(fā)生器：
個 RF 路徑的頻率選項為 100 kHz 至 2.2/3/4/6 GHz
可選第二條射頻路徑，頻率高達(dá) 2.2 GHz 或 3 GHz
最多兩個完整的基帶路徑
數(shù)字域中基帶信號的無損組合（例如用于測試多標(biāo)準(zhǔn)基站）
SMU200A 具有令人印象深刻的信號質(zhì)量：
具有 200 MHz RF 帶寬的 I/Q 調(diào)制器
非常低的 SSB 相位噪聲（典型值）-135 dBc（f = 1 GHz、20 kHz 載波偏移、1 Hz 測量帶寬），典型值 使用增強(qiáng)型相位噪聲性能選項時為 -139 dBc
典型寬帶噪聲 -153 dBc（CW，f = 1 GHz，>10 MHz 載波偏移，1 Hz 測量帶寬）
3GPP FDD 的 ACLR 通常為 +70 dB
0.05 dB 的電平重復(fù)性
高輸出功率高達(dá) +19 dBm (PEP)，超范圍 + 26 dBm
標(biāo)配高穩(wěn)定性參考振蕩器
的靈活性：
2 x 2 MIMO，可實現(xiàn)實時衰落
兩臺儀器可組合用于 2 x 4 或 4 x 2 MIMO
可選的衰落模擬器具有多達(dá) 40 個衰落路徑
支持 EUTRA/LTE FDD 和 TDD 信號生成
支持 WiMAX™ IEEE 802.16-2004/Corr1-2005、802.16e-2005 和 WiBro
3GPP FDD 的四個實時碼道，支持 HSDPA 和 HSUPA
一幀中具有 GSM、EDGE 和 EGPRS2 時隙的混合幀（每幀具有相同的符號率）
帶有通用編碼器的基帶發(fā)生器，用于實時信號生成
具有 16 Msamples、64 Msamples 或 128 Msamples 的任意波形發(fā)生器 * R&S®WinIQSIM2™ 和 R&S®WinIQSIM™ 仿真軟件支持任意波形發(fā)生器
其他功能包括：
800 × 600 像素彩色顯示屏（SVGA 格式）
直觀的用戶界面，帶有信號流圖形顯示（框圖）
通過內(nèi)置瞬態(tài)記錄器以圖形方式顯示基帶信號
上下文相關(guān)幫助系統(tǒng)
非常短的頻率和電平設(shè)置時間（
電子衰減器在整個電平范圍內(nèi)高達(dá) 6 GHz
使用 RF 列表模式和多段波形進(jìn)行靈活的高速測量
所需空間最小，因為兩臺完整的發(fā)生器可容納在一臺僅具有四個高度單位的儀器中
可選數(shù)字I/Q輸入和輸出；支持 R&S EX-IQ-Box 以實現(xiàn)靈活的數(shù)據(jù)格式和時鐘生成
支持 R&S NRP 功率傳感器
通過 LAN（千兆位以太網(wǎng)、VXI11）和 GPIB 進(jìn)行遠(yuǎn)程控制
通過Windows遠(yuǎn)程桌面或VNC進(jìn)行遠(yuǎn)程操作
用戶可選擇的觸發(fā)和標(biāo)記信號
用于鍵盤、鼠標(biāo)和記憶棒的 USB 連接器
LXI C 類合規(guī)性
