BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀

晶體管的極限參數(shù)

晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過(guò)的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過(guò)額定值時(shí)，輕則影響晶體管的工作性能，嚴(yán)重時(shí)將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。
1.集電極zui大允許耗散功率Pcm
Pcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過(guò)規(guī)定值時(shí)，集電極所消耗的zui大功率。 晶體管在正常工作時(shí)，集電結(jié)加的是反向偏置電壓，集電結(jié)的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過(guò)集電結(jié)時(shí)就要產(chǎn)生大量的熱量，結(jié)溫就會(huì)升高，若溫度過(guò)高，將導(dǎo)致晶體管不可逆轉(zhuǎn)的損壞。人們根據(jù)晶體管zui高允許結(jié)溫定出zui大允許耗散功率。為了降低結(jié)溫，對(duì)于大功率晶體管，人們往往要另設(shè)散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當(dāng)提高。
2.集電極zui大允許電流Icm
集電極電流增大，會(huì)導(dǎo)致晶體管的電流放大倍數(shù)β下降，當(dāng)β降至低頻電流放大倍數(shù)βo的額定倍數(shù)（通常規(guī)定為二分之一或三分之一）時(shí)，此時(shí)的集電極電流稱(chēng)為集電極zui大允許電流Icm。因此，當(dāng)晶體管的集電極電流達(dá)到Icm時(shí)，晶體管雖不致?lián)p壞，但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。
3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指晶體管基極開(kāi)路時(shí)，加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的zui大允許電壓。對(duì)于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負(fù)極；對(duì)于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負(fù)極，發(fā)射極接電源的正極。
當(dāng)加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時(shí)，流過(guò)晶體管的電流會(huì)突然增大，導(dǎo)致晶體管*性損壞，這種現(xiàn)象稱(chēng)為擊穿。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

    BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀可以同時(shí)進(jìn)行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊
穿的一次性檢測(cè)。兩種參數(shù)放在同一臺(tái)儀器上檢測(cè)是為了滿(mǎn)足軍用功率晶體管實(shí)際檢測(cè)的需
要，是軍用功率晶體管zui快速篩選測(cè)試（用幾十分鐘的參數(shù)測(cè)試取代168小時(shí)滿(mǎn)功率老化）
及貫徹國(guó)軍標(biāo)所必需的測(cè)試儀器。這種參數(shù)測(cè)試儀不但解決了測(cè)試中的燒管問(wèn)題，也可直接
進(jìn)行正偏二次擊穿功率的檢測(cè)。本儀器的配套電源為本廠(chǎng)生產(chǎn)的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。

BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)：

 （1） 測(cè)試功率：0~750W
（2） 集電極—發(fā)射極電壓VCE：0~300V±2%
（3） 發(fā)射極電流IE：0~5A  ±2%
（4） M數(shù)字表：0~ —4.00mV / ℃    ±3%
（5） △VBE數(shù)字表：0~999 mV   ±3%
（6） 脈寬τ：1mS~1000S（分七檔）
           脈寬擴(kuò)展：τ×1、τ×2、τ×5