裝置構(gòu)成

1、GIS罐體：2個(gè)獨(dú)立氣室，全真模擬GIS母線、殼體及盆式絕緣子。

2、無局放電源：工頻升壓裝置，自身局放量不超過0.5PC。

3、放電模型：內(nèi)置放電、氣隙放電、懸浮放電、顆粒放電及盆式絕緣子沿面放電共5種模型，可模擬GIS內(nèi)部前述5種單一缺陷和不同組合缺陷。

4、耦合電容：支持脈沖電流法檢測(cè)，滿足GB/T 7354及IEC 60270要求。

5、內(nèi)置特高頻傳感器：支持特高頻法局部放電帶電檢測(cè)，頻率范圍0.3-2GHZ。

6、內(nèi)置攝像頭：可實(shí)時(shí)觀察罐體內(nèi)部放電模型動(dòng)作情況。

7、根據(jù)實(shí)際需要，可增配示波器或頻譜分析儀等。

8、其他：盆式絕緣子澆筑口處支持外置特高頻傳感器局放檢測(cè)。

內(nèi)置仿真的放電類型：

本裝置根據(jù)GIS主要典型絕緣缺陷研制多種仿真放電模塊：電暈放電、氣隙放電、懸浮放電、顆粒放電及盆式絕緣子沿面放電等各種性質(zhì)的放電現(xiàn)場(chǎng)。

1、電暈放電

導(dǎo)體和外殼內(nèi)表面上的金屬突起，以及固體絕緣表面上的微粒。金屬突起通常是在制造不良和安裝損壞擦劃時(shí)造成的，導(dǎo)致毛刺且較尖。在穩(wěn)定的工頻狀態(tài)下不引起擊穿，但在快速電壓如沖擊、快速暫態(tài)過電壓條件下很危險(xiǎn)，易發(fā)生絕緣事故。

2、金屬顆粒放電

金屬微粒是的微粒，在制造、裝配和運(yùn)行中均有可能產(chǎn)生，它有積累電荷的能力。在交流電壓場(chǎng)的影響下能夠移動(dòng)，在很大程度上運(yùn)動(dòng)與放電的可能性是隨機(jī)的。當(dāng)靠近高壓導(dǎo)體且并未接觸時(shí)，放電最可能發(fā)生，且放電可能性比同樣微粒但為固定物時(shí)高10倍左右。

3、懸浮放電

例如靜電屏蔽和其它浮動(dòng)部件。由松動(dòng)或浮動(dòng)部件產(chǎn)生的放電可能性很大，通常易于檢測(cè)，放電趨向于反復(fù)，其放電電荷在nC到gC間轉(zhuǎn)變。

4、氣隙放電

絕緣子制造時(shí)造成的內(nèi)部空隙和實(shí)驗(yàn)閃絡(luò)引起的表面痕跡，還包括或是因電極的表面粗糙或是來自制造時(shí)嵌入的金屬微粒。此外因環(huán)氧樹脂與金屬電極的收縮系數(shù)不同，也會(huì)形成氣泡或空隙。這些GIS的絕緣缺陷類型極有可能會(huì)在GIS中產(chǎn)生局部放電，在絕緣體中的局部放電甚至?xí)g絕緣材料，進(jìn)一步發(fā)展成為樹枝，并最后導(dǎo)致絕緣擊穿。

5、盆式絕緣子沿面放電

當(dāng)GIS長(zhǎng)期運(yùn)行中在盆式絕緣子的表面難免會(huì)沉積一些塵埃，會(huì)改變盆式絕緣子的電場(chǎng)分布，從而在物體表面產(chǎn)生爬電(污閃)現(xiàn)象；而長(zhǎng)時(shí)間的污閃會(huì)加速盆式絕緣子的老化。