華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線；
品牌： 華科智源
名稱： 柵極電阻測(cè)試儀
型號(hào)： HUSTEC-CV-1200
用途： 測(cè)試MOS管結(jié)電容，Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)
cv曲線測(cè)試儀
可測(cè)參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試
可測(cè)器件： IGBT，二極管，氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等
測(cè)試頻率：1MHz
測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V，Vgs ±25V
信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV
Rg 范圍：≤300Ω
測(cè)試精度：0.01pf
華科智源cv曲線測(cè)試儀特點(diǎn)：
1，測(cè)試速度快。
2，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。
3，測(cè)試精度高，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)。
4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形，可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件。
