普賽斯儀表專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!
HCPL100功率器件短路測(cè)試電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):
50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào);
15us的超快上升沿;
同步測(cè)量電壓;
單臺(tái)最大可達(dá)1000A輸出;
可極性反轉(zhuǎn);
0.1%測(cè)試精度;
技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!更多有關(guān)功率器件短路測(cè)試電源的信息歡迎隨時(shí)咨詢武漢普賽斯儀表!