OSI雪崩硅光電二極管，適用于紫外到近紅外波段

硅光電二極管用于檢測(cè)紫外線到近紅外波段的光，是一種半導(dǎo)體器件，OSI Optoelectronics公司開(kāi)發(fā)了多種適用于該光譜范圍內(nèi)的硅光電二極管，并適用于該波段范圍內(nèi)的多種應(yīng)用，例如功率監(jiān)測(cè)、位置感應(yīng)、X射線與伽馬射線檢測(cè)等。除了多種標(biāo)準(zhǔn)品還可以提供定制，定制光電二極管可以聯(lián)系咨詢我們。

OSI Optoelectronics公司所開(kāi)發(fā)的多種硅光電二極管有36種類型，以下列出其中的幾種光電二極管技術(shù)參數(shù)提供參考，分別為1064nmNd:YAG光電二極管、Nd:YAG光電二極管、雪崩光電二極管(APD)、背照式SMT光電二極管、反向散射光電探測(cè)器、藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管、放大器混合型探測(cè)器濾光片組合、位置傳感探測(cè)器、線性陣列光電二極管、紫外線增強(qiáng)99%QE光電二極管等等。

OSI 1064納米Nd:YAG光電二極管

Nd:YAG系列OSI硅光電探測(cè)器針對(duì)1064nm波長(zhǎng)（Nd:YAG激光光源）進(jìn)行了優(yōu)化。它們具有低電容和快速響應(yīng)時(shí)間。由于其低噪聲和高響應(yīng)性，它們是測(cè)量低光強(qiáng)度的理想選擇，例如測(cè)距應(yīng)用中由Nd:YAG激光束照射物體反射的光。

OSI硅光電探測(cè)器既可以在光伏模式（無(wú)偏置）下運(yùn)行，適用于對(duì)低噪聲有要求的應(yīng)用場(chǎng)景，也可以在光電導(dǎo)模式下偏置運(yùn)行，適用于高速應(yīng)用。

雪崩光電二極管

硅雪崩光電二極管利用內(nèi)部倍增效應(yīng)，通過(guò)碰撞電離實(shí)現(xiàn)增益。其結(jié)果是一系列優(yōu)化的高響應(yīng)度器件，表現(xiàn)出優(yōu)異的靈敏度。OSI提供多種尺寸的OSI光電二極管，適用于光纖應(yīng)用，這些OSI Optoelectronics硅光電二極管可配備平面窗口或球形透鏡。

藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管

       硅藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管用于需要高靈敏度和中等響應(yīng)速度的應(yīng)用，藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管系列在可見(jiàn)光藍(lán)色區(qū)域增加了額外的靈敏度。光譜響應(yīng)范圍從350到1100納米，使得常規(guī)光伏器件非常適合可見(jiàn)光和近紅外應(yīng)用。這些OSI Optoelectronics硅光電二極管具有高分流電阻和低噪聲，并具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性。在直流或低速應(yīng)用中，這些OSI光電二極管的無(wú)偏差運(yùn)行可在較大的溫度變化下保持穩(wěn)定。對(duì)于高光強(qiáng)(大于10mW/cm2)情況，應(yīng)考慮使用光導(dǎo)系列探測(cè)器以獲得更好的線性度。

OSI線性陣列光電二極管

線性陣列光電二極管由彼此相鄰放置的多個(gè)單元素光電二極管組成，在公共陰極基板上形成一維感測(cè)區(qū)域。它們可以同時(shí)測(cè)量一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)的移動(dòng)光束它們具有低電串?dāng)_和相鄰元件之間的超高均勻性，從而實(shí)現(xiàn)非常高精度的測(cè)量。在需要大量探測(cè)器時(shí)，線性陣列提供了一種低成本的替代方案。OSI線性陣列光電二極管針對(duì)紫外、可見(jiàn)或近紅外范圍進(jìn)行了優(yōu)化。

線性陣列光電二極管可以工作在光導(dǎo)模式(反向偏置)以減少響應(yīng)時(shí)間，或者在光伏模式（無(wú)偏置）下用于低漂移應(yīng)用。A2V-16可以耦合到任何閃爍體晶體，用于測(cè)量電磁頻譜的X射線和伽馬射線區(qū)域中的高能光子此外，它們經(jīng)過(guò)機(jī)械設(shè)計(jì)，因此在需要超過(guò)16個(gè)元件的應(yīng)用中，多個(gè)A2V-16可以首尾相連地安裝在一起。

紫外線增強(qiáng)99%QE光電二極管

OSI光電提供兩種不同的紫外線增強(qiáng)硅光電二極管系列。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴(kuò)散系列。這兩個(gè)系列的器件都是專為電磁波譜紫外區(qū)的低噪聲檢測(cè)而設(shè)計(jì)的。

反轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)UV增強(qiáng)光電二極管表現(xiàn)出99%的內(nèi)部量子效率，非常適合低強(qiáng)度光的測(cè)量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。當(dāng)施加5至10伏反向偏壓，整個(gè)表面的響應(yīng)均勻性和量子效率提高。在光伏模式(無(wú)偏置)下，電容高于擴(kuò)散設(shè)備，但隨著反向偏壓的施加會(huì)迅速下降。與擴(kuò)散器件相比，反轉(zhuǎn)層器件的光電流非線性設(shè)置在較低的光電流下。在700nm以下，它們的響應(yīng)度隨溫度變化不大。

紫外增強(qiáng)近紅外抑制光電二極管

OSI系列平面擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的紫外增強(qiáng)型光電二極管與反轉(zhuǎn)層器件相比顯示出顯著優(yōu)勢(shì)，如更低的電容和更高的響應(yīng)時(shí)間。與反轉(zhuǎn)層器件相比，這些器件表現(xiàn)出高達(dá)更高的光輸入功率的光電流線性。他們相較于反轉(zhuǎn)層器件具有相對(duì)較低的響應(yīng)度和量子效率。目前有兩種平面擴(kuò)散紫外增強(qiáng)型光電二極管可供選擇，UVDQ系列和UVEQ系列。這兩個(gè)系列在電光特性上幾乎相同，但UVEQ系列中，設(shè)備對(duì)近紅外區(qū)域的響應(yīng)被抑制。如果需要阻擋光譜中的近紅外區(qū)域，這一點(diǎn)尤其可取。