B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)適用于IC封裝,半導(dǎo)體,微電子芯 片,磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗(yàn),使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,(環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設(shè)定)給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時(shí)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測每個(gè)材料的漏電流,電壓,并根據(jù)預(yù)先設(shè)定, 當(dāng)被測材料實(shí)時(shí)漏電流超出設(shè)定時(shí),自動(dòng)切斷被測材料的電壓,可以保護(hù) 被測元件不被進(jìn)一步燒毀。
應(yīng)用于二極管,三極管,MOSFET,IGBT,SBD,GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應(yīng)管、射頻功率器件進(jìn)行溫濕度下反偏試驗(yàn) 。
適用于IC封裝,半導(dǎo)體,微電子芯 片,磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗(yàn),使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,(環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設(shè)定)給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時(shí)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測每個(gè)材料的漏電流,電壓,并根據(jù)預(yù)先設(shè)定, 當(dāng)被測材料實(shí)時(shí)漏電流超出設(shè)定時(shí),自動(dòng)切斷被測材料的電壓,可以保護(hù) 被測元件不被進(jìn)一步燒毀。
應(yīng)用于二極管,三極管,MOSFET,IGBT,SBD,GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應(yīng)管、射頻功率器件進(jìn)行溫濕度下反偏試驗(yàn) 。
適用于IC封裝,半導(dǎo)體,微電子芯 片,磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速 壽命信賴性試驗(yàn),使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和 薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫 度中,(環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設(shè)定)給被測元件施加一定的偏置電 壓。同時(shí)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測每個(gè)材料的漏電流,電壓,并根據(jù)預(yù)先設(shè)定, 當(dāng)被測材料實(shí)時(shí)漏電流超出設(shè)定時(shí),自動(dòng)切斷被測材料的電壓,可以保護(hù) 被測元件不被進(jìn)一步燒毀。
應(yīng)用于二極管,三極管,MOSFET,IGBT,SBD,GaN Fet, SCR以及各種封裝 形式的射頻場效應(yīng)管、射頻功率器件進(jìn)行溫濕度下反偏試驗(yàn) 。