| 測(cè)量范圍 | |
| 頻帶帶寬 | |
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| 靈敏度余量 | |
| 動(dòng)態(tài)記錄 |
KrautKramer USM 36 是GE USM 系列探傷儀中的產(chǎn)品，將GE業(yè)已成熟的便攜式探傷儀中簡(jiǎn)易及耐用的硬件整合到21世紀(jì)的操作平臺(tái)，其融入了諸多的創(chuàng)新，已確保新設(shè)備滿足NDT人士高負(fù)荷下使用。 USM 36超聲波探傷儀特性： 1：同級(jí)別中的A掃描顯示：分辨率為800X480像素的7英寸大屏幕； 2：簡(jiǎn)單及更有效的操作： 2.1 采用之前款式中熟悉的雙旋鈕設(shè)計(jì)，但功能鍵簡(jiǎn)化到少直觀的6按鍵，讓操作更簡(jiǎn)單有效； 2.2 采用與之前款式相同的操作方式與用戶界面，不僅曾經(jīng)使用過(guò)此類設(shè)備的技術(shù)員容易操作，而且此類設(shè)備中的檢測(cè)設(shè)置能夠移植到USM 36； 3：靈活的數(shù)據(jù)報(bào)告及存儲(chǔ)：能抓取A掃描視頻中的屏幕用于后續(xù)的分析作為檢測(cè)的證明，所有數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)到SD卡中，報(bào)告格式可以是JPEG或BMP； 4：廣泛的連通性：VGA接口允許外接顯示器或投影儀，方便培訓(xùn)等； 5：可在惡劣的環(huán)境中使用： 5.1 滿足防塵防水等級(jí)IP66，可在-10～55°C的環(huán)境中使用； 5.2 其重量含電池總共才2.2Kg，電池工作時(shí)間長(zhǎng)達(dá)13小時(shí)； 6：多版本選擇：提供4種版本滿足不同的標(biāo)準(zhǔn)要求； |
詳細(xì)資料 |
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USM 36 技術(shù)參數(shù) 顯示屏 尺寸：7英寸 有效面積：152.4mmX91.44mm 像素分辨率：800X480像素 顯示 顯示偏移：-15…3,500微米 探頭延遲：0…1,000微米 聲速范圍：250…16,000米/秒 重復(fù)頻率：15…2,000Hz自動(dòng)優(yōu)化調(diào)節(jié)，3種自動(dòng)調(diào)節(jié)模式以及手動(dòng)連續(xù)可調(diào) 接口 探頭接口：2XLEMO 1或2XBNC USB 接口：USB 類型B接口 服務(wù)接口：LEMO-1B，8針 脈沖發(fā)射器 脈沖類型：尖波，可選方波 脈沖電壓（方波模式下）：120…300V,in steps of 10 V with a tolerance of 10% 脈沖上升沿/下降沿時(shí)間：不超過(guò)10納秒 脈沖寬度（方波模式下）：30…500納秒，步距10納秒 脈沖幅度（尖波模式下）：低：120V，高：300V 脈沖能量：低：30納秒，高：100納秒 阻尼：50歐姆，1000歐姆 接收器： 數(shù)字增益：110dB動(dòng)態(tài)范圍，調(diào)節(jié)步進(jìn)0.2dB 模擬帶寬：0.5…20MHz 濾波器：帶通濾波器：1-5MHz/2MHz/2.25MHz/4MHz/5MHz/10MHz/13MHz/15MHz 檢波：正半波、負(fù)半波、全波、射頻 閘門： 獨(dú)立閘門：閘門A、B以及C（選項(xiàng)） 測(cè)量模式：波峰，波側(cè)，J-波側(cè)，波峰 存儲(chǔ)： 卡槽：SD卡槽適用于所有標(biāo)準(zhǔn)SD卡 容量：8GB，SD卡 數(shù)據(jù)格式：ASCⅡ數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)UGO 報(bào)告格式：JPG或BMP格式 常規(guī)： 電池：鋰電池（13小時(shí)）、內(nèi)部充電器/電源充電器以及外部充電器（選項(xiàng)） 電源適配器/充電器：通用交流電100…240V，50/60Hz 尺寸：177X255X100毫米（長(zhǎng)X高X寬） 重量：含電池2.2千克 語(yǔ)言：含中、英等18種語(yǔ)言 溫度和濕度（存儲(chǔ)）：EN60068第2部分 振動(dòng)：EN60068部分2-6 沖擊：EN60068部分2-27 防護(hù)等級(jí)：EC60528標(biāo)準(zhǔn)IP66 工作溫度：-10…55°C 存儲(chǔ)溫度：-20…60°C 規(guī)范符合EN 12668 選項(xiàng)： 1：AWS：AWS定量工具 2：DAC/JISDAC/CNDAC：DAC定量工具 3：DGS：DGS定量工具，符合EN1712，EN1713，EN1714，ASTM E164 4：數(shù)據(jù)記錄器：創(chuàng)建二維網(wǎng)格文件 5：第3閘門：閘門C 6：SWP：用于優(yōu)化脈沖發(fā)生器參數(shù)，電壓設(shè)置120…300V，步進(jìn)為10V，脈沖寬度設(shè)置30…500納秒，步進(jìn)為10納秒 7：幻想波識(shí)別Phantom-PRF：用于識(shí)別在檢測(cè)低衰減材料中多次反射引起的錯(cuò)誤回波 8：BEA：底波衰減監(jiān)控 |
