工作原理:
設(shè)備配備上下兩個(gè)NIR探測(cè)器,通過(guò)獲得探測(cè)器位置和硅片反射,得到TT厚度,再通過(guò)NIR穿透DC tape獲得DC tape厚度T2,從而得到硅片厚度T1的數(shù)據(jù)。
技術(shù)參數(shù)
NIR 影像定位厚度量測(cè)模組 (Wavelegnth 840um )
1. 量測(cè) 1,000 um
2. 單層最小量測(cè)厚度: 10 um
3. 單層量測(cè)解析度 0.35 um
4. 顯示解析 0.01 um
5. 單層量測(cè)重複精度
a. (含厚度直線誤差的單點(diǎn)量點(diǎn)重覆精度)單層厚度> 50 um : < ± 0.01 x測(cè)量值單層厚度<= 50 um : ± 0.5 um
b. (不含厚度直線誤差的單點(diǎn)量點(diǎn)重覆精度) 20±1度C, 重覆精度 < ± 0.5 um
當(dāng)環(huán)境溫度與振動(dòng)更穩(wěn)定, 量測(cè)樣品粗糙度達(dá)Rz<0.1um下, 重覆精度可達(dá)± 0.1 um
上層超薄膜量測(cè)模組
1. 量測(cè)點(diǎn)大小: 40um
2. 薄膜量測(cè)厚度 : 50um
3. 最小薄膜量測(cè)厚度: 1um
4. 顯示最小解析 : 0.01um
5. 複測(cè)量精度 : +0.25um
6. 高解析可見(jiàn)光譜儀
設(shè)備可同時(shí)加裝白光干涉鏡頭,實(shí)現(xiàn)3D掃描和量測(cè)