在常溫下用于晶片、晶圓、芯片等多種器件的精密電測量?？梢詫崿F(xiàn)基礎(chǔ)測試、保護(hù)氣氛電路測試、光電流分析、FA失效分析等測量和分析平臺。
晶圓探針臺HCP-1W技術(shù)參數(shù)：
樣品臺尺寸：150mm*150mm（6in.）；
探針數(shù)量：≤4；
移動精度：0.01mm；
探針XYZ行程：100mm*100mm*10mm；
樣品臺旋轉(zhuǎn)角度：360°，精度±1；
樣品臺側(cè)傾角度：±8°，精度±1；
顯微鏡放大倍數(shù)：15x~100x；
晶圓探針臺HCP-1W產(chǎn)品特點：
產(chǎn)品功能：晶圓探針臺在常溫環(huán)境下用于晶片、晶圓、芯片等多種器件的精密電測量；
使用范圍：幫助精準(zhǔn)測量和分析判斷晶圓器件的性能。
應(yīng)用領(lǐng)域：提供材料/器件的IV/CV特性測試，LD/LED/PD的光強/波長測試，射頻特性器件失效分析，芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測試等技術(shù)解決方案；
定制服務(wù)：定制樣品臺和測量方式；
自動控溫：PID自整定連續(xù)多點控溫。
晶圓探針臺應(yīng)用：
提供材料/器件的IV/CV特性測試；
LD/LED/PD的光強/波長測試；
射頻特性器件失效分析；
芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測試：
