產(chǎn)品介紹
紅外輻照器外形圖 紅外輻照器模塊組成圖
MIRAD輻照器的設(shè)計思路整合了三個模塊(MTB中溫的黑體，VAB光機輻射衰減器和三個TP透射管），三個模塊組合一起，從而在管道出口幾十毫米下的晶圓面接收到均勻、光強可調(diào)節(jié)的MWIR/LWIR輻照。
? MIRAD的設(shè)計針對半導(dǎo)體行業(yè)進行了優(yōu)化。與典型黑體相比，MTB黑體的熱發(fā)射明顯降低。對通過VAB衰減器的空氣進行了過濾。TP透射管內(nèi)的光學(xué)元件保護半導(dǎo)體晶圓不受來自MTB黑體高溫發(fā)射端涂層掉落粒子的污染。
產(chǎn)品參數(shù)
參數(shù) | 描述 |
總體參數(shù) | |
TP3 管到被測sensor的距離 | 28 mm (可定制) |
晶圓表面的寬波段輻照度 | 至少8 mW/cm2 (詳見測試報告) |
被測sensor面積 | 直徑60mm |
建議測量區(qū)域大小 | 不超過直徑 40mm |
輻照度不均勻性 | < ±2% ，直徑30 mm范圍內(nèi) < ±3% ，直徑 50 mm范圍內(nèi) < ±5% ，直徑 60 mm范圍內(nèi) |
輻射波段 | 0.7µm 到 30 µm |
發(fā)射光譜 | 類似于所設(shè)置的黑體溫度對應(yīng)Planck光譜 |
黑體參數(shù) | |
黑體溫度范圍 | 50°C 到550°C 建議 ≤ 500°C |
黑體輻射面積 | 直徑 120 mm |
黑體輻射有效面積 | 直徑 90 mm |
調(diào)整分辨率 | 10mK |
時間穩(wěn)定性 | 不超過50 mK |
控制方式 | USB接口，PC控制 |
VAB 衰減器 | |
透過率范圍 | 0% 到 99% |
調(diào)制分辨率 | 不少于 0.1% |
潔凈空氣過濾器 | 有 |
控制方式 | USB接口，PC控制 |
TP1/TP2/TP3 管 | |
尺寸 | IP750 成像測試機定制尺寸 |
設(shè)計 | 管內(nèi)有擋板，集成光學(xué)鏡片和整形部件 |
透過率 | 1 µm 到30 µm范圍內(nèi)均勻透過 |
其他參數(shù) | |
工作溫度 | +5oC到 35oC |
儲存溫度 | -5oC到 55oC |
工作濕度 | 不超過75% |
儲存濕度 | 不超過50% |
