IS6-D-UV 積分球概述：
IS6-D-UV 是一個(gè) 6 英寸積分球（內(nèi)部 5.3 英寸），帶有用于發(fā)散 (D) 光束的硅探測(cè)器。IS6-D-UV 配有紫外線檢測(cè)器，校準(zhǔn)范圍為 200 至 1100nm，可測(cè)量高達(dá) 1W 的功率。
IS6-D-UV 積分球圖紙：
主要參數(shù)：
| 光圈 | ?26mm |
| 光譜范圍 | 200-1100nm |
| 功率范圍 | 300nW-1W |
| 尺寸 | ?154（毫米） |
| 脈沖能量 | 0.15毫焦 |
| 平均功率密度 | 1 kw/cm2 |
| 平均功率 | 1W |
| 光束發(fā)散 | ±60度 |
| 對(duì)光束發(fā)散的敏感性 | ±3% |
問題歸納：
吸收器表面的損壞對(duì)測(cè)量精度的影響
如果損壞導(dǎo)致吸收發(fā)生變化，則對(duì)吸收器表面造成的損壞會(huì)影響讀數(shù)。檢查這一點(diǎn)的一種方法是將光束稍微移離受損區(qū)域，并查看讀數(shù)是否發(fā)生變化以及變化幅度有多大。當(dāng)損壞閾值時(shí)，在這個(gè)功率或能量密度值下，可能會(huì)出現(xiàn)外觀損壞，導(dǎo)致表面發(fā)生一些顏色變化，但通常將損壞閾值定義為導(dǎo)致變化超過 1% 的功率或能量密度。
電磁干擾對(duì)測(cè)量精度的影響
Ophir 儀表和傳感器經(jīng)認(rèn)證符合 CE 對(duì)電磁輻射敏感性和發(fā)射的要求。在強(qiáng)度達(dá)到 CE 規(guī)定的極限的幾乎所有輻射頻率下，人們都不會(huì)注意到任何干擾。在極少數(shù)特定頻率情況下，可能會(huì)有一些明顯的干擾。已在任何頻率下可以看到的干擾小于全額定功率的 0.3%。
