描述
Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術(shù) TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項(xiàng),可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進(jìn)行擴(kuò)展。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝,具有60V、80V 和 100V 直流電壓。應(yīng)用包括電源、電機(jī)驅(qū)動器開關(guān)、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理。
特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
結(jié)溫 175°C
非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗
經(jīng)Rg 和 UIS 測試
Qgd/Qgs 比 < 0.25
可通過邏輯電平柵極驅(qū)動進(jìn)行操作
規(guī)格
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | |
封裝 / 箱體: | TO-263-7 | |
通道數(shù)量: | 1 Channel | |
晶體管極性: | N-Channel | |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V | |
Id-連續(xù)漏極電流: | 120 A | |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 4.6 mOhms | |
Vgs - 柵極-源極電壓: | +/- 20 V | |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.5 V | |
Qg-柵極電荷: | 76 nC | |
工作溫度: | + 175 C | |
技術(shù): | Si | |
封裝: | Reel | |
配置: | 1 N-Channel | |
通道模式: | Enhancement | |
下降時間: | 15 ns | |
最小工作溫度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 375 W | |
上升時間: | 22 ns | |
晶體管類型: | N-Channel | |
典型關(guān)閉延遲時間: | 55 ns | |
典型接通延遲時間: | 15 ns | |
單位重量: | 1.600 g |