描述
安森美半導體串行SRAM系列包括多款集成的內(nèi)存設備,包括這個64K的串行方式訪問靜態(tài)隨機存取存儲器,由8位內(nèi)部組織為8千字。該設備的設計,并使用的CMOS技術(shù),以提供高速的性能和低功耗制造。該器件在單芯片選擇(CS)輸入,并使用一個簡單的串行外設接口(SPI)串行總線。在一個單一的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)輸出線用于沿與時鐘的裝置內(nèi)的訪問數(shù)據(jù)。該N64S830HA設備包括一個HOLD引腳,允許通信設備被暫停。暫停時,輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。該設備可以為-40℃的寬的溫度范圍內(nèi)工作,以+ 85℃,可以在幾個標準包裝產(chǎn)品提供。
特性
2.7至3.6 V電源電壓范圍
極低的待機電流 - 低至1微安
極低的工作電流 - 低至3毫安
靈活的操作模式:字讀寫,頁面模式(32字頁)和突發(fā)模式(全陣列)
簡單的內(nèi)存控制:單芯片選擇(CS),串行輸入(SI)和串行輸出(SO)
自定時寫周期
內(nèi)建寫保護(CS高)
HOLD引腳用于暫停通信
高可靠性 - 無限寫入周期
符合RoHS封裝 - 綠色SOIC和TSSOP